特許

J-GLOBAL ID：201203004507219094

電子機器、及び、電子機器の制御方法

発明者： 峰岸 優二
出願人/特許権者： クラリオン株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人クシブチ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-238143
公開番号（公開出願番号）：特開2012-093812
出願日： 2010年10月25日
公開日（公表日）： 2012年05月17日
要約：

【課題】セクターが形成される不揮発性メモリーにおいて、セクターの使用効率を向上する。【解決手段】フラッシュメモリー28の記憶領域に、複数のセクターを形成し、これら複数のセクターに、バンク単位で巡回的にデータを書き込み、複数のセクターうち1のセクターに対してバンクを書き込む際に、書き込みエラーが発生した場合、1のセクターに既に正常に書き込みが終了しているバンクを他のセクターにコピーし、新たなバンクの書き込みは、他のセクターに対して行うようにした。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

セクター単位でデータの消去が行われ、かつ、データの消去が行われていない領域に新たにデータを書き込むことができない不揮発性メモリーを備え、 前記不揮発性メモリーの記憶領域に、複数のセクターを形成し、これら複数のセクターに、バンク単位で巡回的にデータを書き込み、 複数のセクターうち1のセクターに対してバンクを書き込む際に、書き込みエラーが発生した場合、前記1のセクターに既に正常に書き込みが終了しているバンクを他のセクターにコピーし、新たなバンクの書き込みは、前記他のセクターに対して行うことを特徴とする電子機器。

IPC (3件)：

G06F 12/02 ,  G06F 12/00 ,  G06F 12/16

FI (4件)：

G06F12/02 530E ,  G06F12/00 597U ,  G06F12/02 510A ,  G06F12/16 340T

Fターム (6件)：

5B018GA01 ,  5B018MA24 ,  5B018NA06 ,  5B018QA06 ,  5B018QA11 ,  5B060CA18

引用特許：

審査官引用 (2件)

• メモリカード及びメモリカードドライブ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-135463   出願人：パナソニック株式会社
• フラッシュメモリを利用したデータ管理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-027445   出願人：埼玉日本電気株式会社