Cu-Ni-Si合金すずめっき条

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：アクシス国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-168693
公開番号（公開出願番号）：特開2012-007242
出願日： 2011年08月01日
公開日（公表日）： 2012年01月12日
要約：

【課題】すずめっきの耐熱剥離性を改善したCu-Ni-Si系合金すずめっき条を提供する。【解決手段】1.0〜4.5質量%のNi及び0.2〜1.0質量%のSiを含有し、残部がCu及び不可避的不純物より構成される銅基合金を母材とするすずめっき条において、めっき層と母材との境界面におけるS濃度及びC濃度をそれぞれ0.05質量%以下に調整する。母材は、更にSn、Zn、Mg、Fe、Mn、Co、Ti、Cr、Zr、Al及びAgの群から選ばれた少なくとも一種を合計で0.005〜3.0質量%の範囲で含有することができる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

1.0〜4.5質量%のNi及び0.2〜1.0質量%のSiを含有し、残部がCu及び不可避的不純物より構成される銅基合金を母材とし、めっき層と母材との境界面におけるS濃度及びC濃度が、それぞれ0.05質量%以下であることを特徴とするCu-Ni-Si合金すずめっき条。

IPC (10件)：

C22C 9/06 , C22C 9/02 , C22C 9/04 , C22C 9/05 , C22C 9/10 , C22C 9/01 , C22F 1/08 , C22C 9/00 , C25D 7/00 , C25D 5/12

FI (10件)：

C22C9/06 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22C9/05 , C22C9/10 , C22C9/01 , C22F1/08 B , C22C9/00 , C25D7/00 H , C25D5/12

Fターム (19件)：

4K024AA03 , 4K024AA07 , 4K024AA09 , 4K024AB03 , 4K024BA09 , 4K024BB10 , 4K024BC10 , 4K024CA04 , 4K024CA06 , 4K024DB02 , 4K024GA03 , 5G050AA13 , 5G050AA29 , 5G050AA43 , 5G050AA45 , 5G050CA01 , 5G050EA09 , 5G050EA11 , 5G050EA14

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開平4-180589
皮膜、その製造方法および電気電子部品
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-172578 出願人：同和鉱業株式会社, 日本オーリンブラス株式会社

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