特許
J-GLOBAL ID:201203005887583504
光電構成素子およびその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (10件):
久野 琢也
, 高橋 佳大
, 来間 清志
, 星 公弘
, 二宮 浩康
, 住吉 秀一
, 篠 良一
, 上島 類
, 宮城 康史
, アインゼル・フェリックス=ラインハルト
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-507683
公開番号(公開出願番号):特表2012-525692
出願日: 2010年04月21日
公開日(公表日): 2012年10月22日
要約:
本発明は、基板(1)と、アノード(2)およびカソード(10)と、該アノードとカソードの間に配置された少なくとも1つの活性層(6)とを有する光電構成素子に関する。アノード(2)のカソード側表面上は、酸化金属、窒化金属または酸化窒化金属を含有するか、またはそれらからなる非結晶誘電層(3)が直接配置されている。酸化金属、窒化金属または酸化窒化金属に含まれる金属は、アルミニウム、ガリウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、タンタル、ランタン、および亜鉛からなる群の1つまたは複数の金属から選択されている。
請求項(抜粋):
基板(1)と、アノード(2)およびカソード(9)と、該アノードとカソードの間に配置された少なくとも1つの活性層(6)とを有する光電構成素子であって、
アノード(2)のカソード側表面上は、酸化金属、窒化金属または酸化窒化金属を含有するか、またはそれらからなる非結晶誘電層(3)が直接配置されており、
酸化金属、窒化金属または酸化窒化金属に含まれる金属は、アルミニウム、ガリウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、タンタル、ランタン、および亜鉛からなる群の1つまたは複数の金属から選択されている光電構成素子。
IPC (7件):
H01L 51/50
, C23C 16/40
, C23C 16/455
, H01L 51/42
, H01L 31/10
, H05B 33/28
, H05B 33/10
FI (8件):
H05B33/22 C
, C23C16/40
, C23C16/455
, H01L31/04 D
, H01L31/10 A
, H05B33/14 A
, H05B33/28
, H05B33/10
Fターム (42件):
3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107CC04
, 3K107CC21
, 3K107CC29
, 3K107DD22
, 3K107DD46X
, 3K107DD72
, 3K107DD84
, 3K107FF15
, 3K107FF17
, 3K107GG04
, 3K107GG28
, 4K030AA11
, 4K030AA14
, 4K030BA43
, 4K030CA06
, 4K030CA12
, 4K030EA03
, 4K030FA10
, 4K030HA01
, 4K030JA01
, 4K030JA09
, 4K030JA10
, 4K030LA16
, 5F049MB08
, 5F049PA03
, 5F049SE04
, 5F049SE05
, 5F049SE12
, 5F049SS01
, 5F151AA11
, 5F151CB12
, 5F151CB13
, 5F151DA03
, 5F151FA04
, 5F151FA06
, 5F151FA13
, 5F151FA15
, 5F151FA18
, 5F151FA19
, 5F151GA03
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)