特許
J-GLOBAL ID:201203005887583504

光電構成素子およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (10件): 久野 琢也 ,  高橋 佳大 ,  来間 清志 ,  星 公弘 ,  二宮 浩康 ,  住吉 秀一 ,  篠 良一 ,  上島 類 ,  宮城 康史 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-507683
公開番号(公開出願番号):特表2012-525692
出願日: 2010年04月21日
公開日(公表日): 2012年10月22日
要約:
本発明は、基板(1)と、アノード(2)およびカソード(10)と、該アノードとカソードの間に配置された少なくとも1つの活性層(6)とを有する光電構成素子に関する。アノード(2)のカソード側表面上は、酸化金属、窒化金属または酸化窒化金属を含有するか、またはそれらからなる非結晶誘電層(3)が直接配置されている。酸化金属、窒化金属または酸化窒化金属に含まれる金属は、アルミニウム、ガリウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、タンタル、ランタン、および亜鉛からなる群の1つまたは複数の金属から選択されている。
請求項(抜粋):
基板(1)と、アノード(2)およびカソード(9)と、該アノードとカソードの間に配置された少なくとも1つの活性層(6)とを有する光電構成素子であって、 アノード(2)のカソード側表面上は、酸化金属、窒化金属または酸化窒化金属を含有するか、またはそれらからなる非結晶誘電層(3)が直接配置されており、 酸化金属、窒化金属または酸化窒化金属に含まれる金属は、アルミニウム、ガリウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、タンタル、ランタン、および亜鉛からなる群の1つまたは複数の金属から選択されている光電構成素子。
IPC (7件):
H01L 51/50 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/455 ,  H01L 51/42 ,  H01L 31/10 ,  H05B 33/28 ,  H05B 33/10
FI (8件):
H05B33/22 C ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01L31/04 D ,  H01L31/10 A ,  H05B33/14 A ,  H05B33/28 ,  H05B33/10
Fターム (42件):
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC04 ,  3K107CC21 ,  3K107CC29 ,  3K107DD22 ,  3K107DD46X ,  3K107DD72 ,  3K107DD84 ,  3K107FF15 ,  3K107FF17 ,  3K107GG04 ,  3K107GG28 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA43 ,  4K030CA06 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA01 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA16 ,  5F049MB08 ,  5F049PA03 ,  5F049SE04 ,  5F049SE05 ,  5F049SE12 ,  5F049SS01 ,  5F151AA11 ,  5F151CB12 ,  5F151CB13 ,  5F151DA03 ,  5F151FA04 ,  5F151FA06 ,  5F151FA13 ,  5F151FA15 ,  5F151FA18 ,  5F151FA19 ,  5F151GA03
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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