表面に金属、シリコン又は酸化ゲルマニウム層を形成する方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：大野聖二 , 森田耕司 , 田中玲子 , 山田勇毅 , 北野健
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-590431
公開番号（公開出願番号）：特表2004-535038
出願日： 2002年05月13日
公開日（公表日）： 2004年11月18日
要約：

金属、シリコン又はゲルマニウム、及び酸素を含む層を表面上に形成する方法において、基板を、金属、シリコン又はゲルマニウムを含む有機分子からなる、又は、を含む液体又は気体にさらすことにより、前記基板上に12単分子層以下の吸着層を形成し、前記吸着層が形成された前記表面を前記液体又は気体から離脱させ、前記層を酸化媒体にさらすことによって、前記吸着層を金属、シリコン又はゲルマニウム、及び酸素を含む層に変換することからなり、又は、ことを含む方法。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

金属、シリコン又はゲルマニウム、及び酸素を含む層を表面上に形成する方法において、 a.基板を、金属、シリコン又はゲルマニウムを含む有機分子からなる、又は、を含む液体又は気体にさらすことにより、前記基板上に12単分子層以下の吸着層を形成し、 b.前記吸着層が形成された前記表面を前記液体又は気体から離脱させ、 c.前記層を酸化媒体にさらすことによって、前記吸着層を金属、シリコン又はゲルマニウム、及び酸素を含む層に変換することからなり、又は、ことを含む方法。

IPC (5件)：

H05B33/22 , H01L29/16 , H01L33/00 , H05B33/10 , H05B33/14

FI (5件)：

H05B33/22 C , H01L29/16 , H01L33/00 , H05B33/10 , H05B33/14 A

Fターム (12件)：

3K007AB03 , 3K007AB18 , 3K007CB04 , 3K007DB03 , 3K007EA00 , 3K007FA01 , 5F041CA45 , 5F041CA83 , 5F041CA88 , 5F041CA92 , 5F041FF01 , 5F041FF11

引用特許：

審査官引用 (9件)

シリコン-酸化物薄層の製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願平8-513070 出願人：フィリップスエレクトロニクスムネローゼフェンノートシャップ
薄膜製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-287331 出願人：三星電子株式会社
有機EL素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-315394 出願人：ティーディーケイ株式会社

全件表示

引用文献：

審査官引用 (1件)

Modification pf the hole injection barrier in organic light-emitting devices studied by ultraviolet

前のページに戻る