特許
J-GLOBAL ID:201203010159428130
酸発生剤用の塩及びレジスト組成物
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
中山 亨
, 坂元 徹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-252599
公開番号(公開出願番号):特開2012-006907
出願日: 2010年11月11日
公開日(公表日): 2012年01月12日
要約:
【課題】優れた解像度及びラインエッジラフネスを有するパターンを形成することができるレジスト組成物の酸発生剤用の塩を提供する。【解決手段】トリアリールスルホニウムカチオンとα,α-ジフルオロアダマンチルオキシカルボニルメタンスルホン酸アニオンなどからなる塩(I)。フォトレジスト組成物は、特に、化学増幅型フォトレジスト組成物に有用であり、半導体の微細加工、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程等、広範な用途に好適に利用することができる。特に、ArFやKrFなどのエキシマレーザリソグラフィならびにArF液浸露光リソグラフィ、EB露光リソグラフィ、EUV露光リソグラフィに好適な化学増幅型フォトレジスト組成として用いることができる。また、液浸露光のほか、ドライ露光などにも用いることができる。【選択図】なし
請求項(抜粋):
式(I)で表される塩。
IPC (5件):
C07C 309/17
, C07C 381/12
, G03F 7/004
, G03F 7/039
, H01L 21/027
FI (5件):
C07C309/17
, C07C381/12
, G03F7/004 503A
, G03F7/039 601
, H01L21/30 502R
Fターム (32件):
2H125AF17P
, 2H125AF18P
, 2H125AF19P
, 2H125AF21P
, 2H125AF26P
, 2H125AF38P
, 2H125AF70P
, 2H125AH17
, 2H125AH19
, 2H125AH29
, 2H125AJ14X
, 2H125AJ65X
, 2H125AJ69X
, 2H125AL02
, 2H125AL03
, 2H125AL22
, 2H125AN38P
, 2H125AN39P
, 2H125AN45P
, 2H125AN54P
, 2H125AN65P
, 2H125BA02P
, 2H125BA26P
, 2H125CA12
, 2H125CB09
, 2H125CC03
, 2H125CC15
, 2H125FA03
, 4H006AA01
, 4H006AA03
, 4H006AB81
, 4H006TN60
引用特許:
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