特許
J-GLOBAL ID：201203010831609270

大出力パワー用の横結合を持つDFBレーザダイオード

発明者：
ケート, ヨハネス

ケート, ヨハネス について

, 
ツェラー, ヴォルフガング

ツェラー, ヴォルフガング について


出願人/特許権者：
ナノプラス ゲーエムベーハー ナノシステムズ アンド テクノロジーズ

ナノプラス ゲーエムベーハー ナノシステムズ アンド テクノロジーズ について


代理人 (3件)： 細田 益稔 ,  石井 総 ,  青木 純雄
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-509029
公開番号（公開出願番号）：特表2012-526375
出願日： 2010年05月05日
公開日（公表日）： 2012年10月25日
要約：
本発明は、横結合を有するDFBレーザダイオードに関するもので、該DFBレーザダイオードは、少なくとも1つの半導体基板10と、該半導体基板上に配設された少なくとも1つの活性層40と、該活性層40より上に配設された少なくとも1つのリッジ70と、該リッジ70に隣接して上記活性層40より上に配設された少なくとも1つの周期表面構造110と、上記活性層の下及び/又は上に配設された1μm以上の厚さを有する少なくとも1つの導波層30,50とを有する。【選択図】 図9
請求項（抜粋）：
a.少なくとも1つの半導体基板(10)と、 b.前記半導体基板(10)上に配設される少なくとも1つの活性層(40)と、 c.前記活性層(40)より上に配設される少なくとも1つのリッジ(70)と、 d.前記活性層(40)より上に前記リッジ(70)に隣接して配設され、エッチング処理後に残存する上側クラッド層(60)に付着される少なくとも1つの周期表面構造(110)と、 e.前記活性層(40)より下及び上に配設される少なくとも1つの導波層(30,50)であって、下側導波層(30)が1μmないし5μmの、好ましくは1.5μmないし3μmの、特に好ましくは2.0μmないし2.5μmの範囲内の厚さを有し、上側導波層(50)が15nmないし100nmの、好ましくは20nmないし50nmの範囲内の厚さを有する少なくとも1つの導波層(30,50)と、 を有する、横結合を有するDFBレーザダイオード。
IPC (2件)：
H01S 5/12 ,  H01S 5/22
FI (2件)：
H01S5/12 ,  H01S5/22
Fターム (7件)：
5F173AA08 ,  5F173AB13 ,  5F173AF32 ,  5F173AH02 ,  5F173AH22 ,  5F173AH31 ,  5F173AR68
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (6件)
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