特許
J-GLOBAL ID：201203013885556901
非可逆回路素子
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (6件)：
千葉 剛宏
, 宮寺 利幸
, 大内 秀治
, 仲宗根 康晴
, 坂井 志郎
, 山野 明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-120781
公開番号（公開出願番号）：特開2012-249174
出願日： 2011年05月30日
公開日（公表日）： 2012年12月13日
要約：
【課題】磁気共鳴点の高磁場側から低磁場側に至る広範囲において安定して動作可能な非可逆回路素子を提供する。【解決手段】非可逆回路素子10は、中央部分に貫通孔を有する誘電体基板12と、その貫通孔に嵌め込まれた円柱形状の磁性部材14と、磁性部材14の一主面14aから誘電体基板12の一主面12aにかけて形成された導体16と、磁性部材14の他主面14bから誘電体基板12の他主面12bにかけて形成された接地導体18と、磁性部材14に対し、内部バイアス磁場を可変的に印加するバイアス磁場可変手段20を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
中央部分に貫通孔を有する誘電体基板と、
前記貫通孔に嵌め込まれた円柱形状の磁性部材と、
前記磁性部材の一主面から前記誘電体基板の一主面にかけて形成された導体と、
前記磁性部材に対し、バイアス磁場を可変的に印加するバイアス磁場可変手段とを有し、
前記導体は、前記磁性部材の径よりも小さい径を有する円形部と、該円形部から三方に張り出す伝送線路部とを一体に有し、
前記バイアス磁場可変手段にて印加するバイアス磁場を変化させることにより、前記磁性部材が有する磁気共鳴点の高磁場側から低磁場側に至る範囲において動作可能であることを特徴とする非可逆回路素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (2件)：
引用特許：
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