特許

J-GLOBAL ID：201203014623670467

マイグレーション及びプラズマ増強化学蒸着

発明者： ケネス スコット アレクサンダー ブッチャー
出願人/特許権者： ケネス スコット アレクサンダー ブッチャー
代理人 (6件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  亀松 宏 ,  中村 朝幸 ,  永坂 友康
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-549695
公開番号（公開出願番号）：特表2012-517711
出願日： 2010年02月10日
公開日（公表日）： 2012年08月02日
要約：

プラズマ増強化学蒸着を利用して薄膜を製造する方法であって、基板領域に最高でも比較的低流束のプラズマ系アニオン種があるときに、カチオン種を基板領域に供給する工程及び基板領域に最高でも比較的低流束のカチオン種があるときに、基板領域にプラズマ系アニオン種を供給する工程を含む方法。これにより、PECVD及び/又はRPECVD系の膜成長システムにおいて、気体反応物の送出を時間的に分離でき、これらのプラズマ系膜成長技術のためにダスト粒子の形成を著しく低減する。

請求項（抜粋）：

III族金属窒化物薄膜を製造する方法であって、反応チャンバー中の基板をIII族金属前駆体及び窒素の活性中性種と交互かつ連続的に接触させる工程を含む方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44

FI (3件)：

H01L21/205 ,  C23C16/44 J ,  C23C16/44 A

Fターム (25件)：

4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA38 ,  4K030EA03 ,  4K030EA05 ,  4K030FA01 ,  4K030FA03 ,  4K030HA01 ,  4K030JA01 ,  4K030JA09 ,  4K030KA14 ,  4K030KA17 ,  4K030KA24 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AA08 ,  5F045AA15 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045BB15 ,  5F045EE19 ,  5F045EF05 ,  5F045EH18

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 熱およびプラズマ増強蒸着のための装置および操作方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-311396   出願人：東京エレクトロン株式会社
• アルカリ土類金属β-ジケチミナート前駆体を用いた原子層堆積
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2008-519486   出願人：マイクロンテクノロジー,インク.