特許
J-GLOBAL ID：201203015160076877

MEMS素子

発明者：
豊田 治

豊田 治 について

, 
ミイ シヤオユウ

ミイ シヤオユウ について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 川上 光治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-060971
公開番号（公開出願番号）：特開2012-196727
出願日： 2011年03月18日
公開日（公表日）： 2012年10月18日
要約：
【課題】低い電圧で上部電極が可動してON,OFFし、かつ寒極温度が高く変化しても動作電圧に影響を与えるようなデバイスの形状変化が起こらないMEMS素子を提供する。【解決手段】絶縁基板1の上に形成される第1の支柱5と、第1の支柱5から間隔をおいて絶縁基板1の上に形成される第2の支柱6と、第1の支柱5に固定される固定端8aと第2の支柱6の上に移動自在に配置される自由端8bとを有する第1の電極8と、絶縁基板1の上における第1の支柱5と第2の支柱6の間の領域で、第1の支柱5及び第2の支柱6より低い位置に形成される第2の電極4と、を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁基板の上に形成される第1の支柱と、 前記第1の支柱から間隔をおいて前記絶縁基板の上に形成される第2の支柱と、 前記第1の支柱に固定される固定端と前記第2の支柱の上に移動自在に配置される自由端とを有する第1の電極と、 前記絶縁基板の上における前記第1の支柱と前記第2の支柱の間の領域で、前記第1の支柱及び前記第2の支柱より低い位置に形成される第2の電極と、 を有することを特徴とするMEMS素子。
IPC (2件)：
B81B 3/00 ,  H01H 59/00
FI (2件)：
B81B3/00 ,  H01H59/00
Fターム (7件)：
3C081AA09 ,  3C081BA43 ,  3C081BA48 ,  3C081BA53 ,  3C081CA17 ,  3C081EA23 ,  3C081EA24
引用特許：
審査官引用 (4件)
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