特許
J-GLOBAL ID：201203016538688910

回路基板、半導体装置、回路基板の製造方法および半導体装置の製造方法

発明者：
今井 洋武

今井 洋武 について


出願人/特許権者：
住友ベークライト株式会社

住友ベークライト株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-191923
公開番号（公開出願番号）：特開2012-049423
出願日： 2010年08月30日
公開日（公表日）： 2012年03月08日
要約：
【課題】反りの発生を抑制できる回路基板を提供すること。【解決手段】回路基板1は、基板2と、この基板2上に設けられたフラックス機能を有する化合物を含む樹脂層3とを備える。基板2の第一絶縁層21の25°C〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数(A)が30ppm/°C以下、3ppm/°C以上である。また、第二絶縁層23の25°C〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数(B)が(A)よりも大きく、(A)と、(B)との差が5ppm/°C以上、35ppm/°C以下である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、この基板上に設けられたフラックス機能を有する化合物を含む樹脂層とを備える回路基板であり、分割して複数の回路基板部を得るための回路基板であって、 前記基板は、 第一絶縁層と、 前記第一絶縁層の一方の面側に形成された回路層と、 この回路層を被覆するとともに、回路層の一部を露出させるための開口が形成された第二絶縁層と、 前記回路層に電気的に接続された少なくとも一つの導電体とを有し、 前記導電体は、前記第一絶縁層を貫通する孔内に形成され、一端が前記回路層と接続され、他端が前記第一絶縁層の他方の面よりも突出する第一金属被覆層とで構成され、 前記フラックス機能を有する化合物を含む樹脂層は、前記第一絶縁層の他方の面側を被覆するとともに、前記第一金属被覆層上に設けられていて、 第一絶縁層の25°C〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数(A)が30ppm/°C以下、3ppm/°C以上であり、 第二絶縁層の25°C〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数(B)が前記第一絶縁層の平均線膨張係数(A)よりも大きく、 前記第一絶縁層の前記平均線膨張係数(A)と、第二絶縁層の平均線膨張係数(B)との差が5ppm/°C以上、35ppm/°C以下であることを特徴とする回路基板。
IPC (10件)：
H05K 3/46 ,  H01L 23/14 ,  H01L 23/12 ,  H05K 1/03 ,  H05K 3/34 ,  H05K 3/00 ,  C08L 63/04 ,  C08L 79/04 ,  C08L 71/08 ,  C08K 3/00
FI (13件)：
H05K3/46 T ,  H01L23/14 R ,  H01L23/12 501P ,  H05K3/46 B ,  H05K1/03 610L ,  H05K1/03 610T ,  H05K3/34 503Z ,  H05K3/34 504B ,  H05K3/00 X ,  C08L63/04 ,  C08L79/04 Z ,  C08L71/08 ,  C08K3/00
Fターム (38件)：
4J002CD06W ,  4J002CH08Y ,  4J002CM02X ,  4J002DE086 ,  4J002DE236 ,  4J002DG046 ,  4J002DG056 ,  4J002DJ006 ,  4J002DJ036 ,  4J002DJ046 ,  4J002DJ056 ,  4J002DK006 ,  4J002FD016 ,  4J002GQ01 ,  5E319AA03 ,  5E319AC02 ,  5E319AC13 ,  5E319BB04 ,  5E319CC33 ,  5E319CD15 ,  5E319CD21 ,  5E319GG01 ,  5E319GG15 ,  5E346AA02 ,  5E346AA25 ,  5E346AA32 ,  5E346AA38 ,  5E346AA43 ,  5E346CC09 ,  5E346CC32 ,  5E346CC40 ,  5E346CC41 ,  5E346CC43 ,  5E346CC46 ,  5E346DD32 ,  5E346EE31 ,  5E346FF15 ,  5E346HH11
引用特許：
審査官引用 (3件)

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