特許
J-GLOBAL ID：200903085960472706
配線基板、半導体装置、及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川澄 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-389959
公開番号（公開出願番号）：特開2002-190544
出願日： 2000年12月19日
公開日（公表日）： 2002年07月05日
要約：
【要約】【課題】配線基板上に半導体チップを搭載した半導体装置の薄型化する。【解決手段】絶縁性基材の第1主面上に配線及びその外部接続端子が設けられ、前記配線の所定位置の絶縁性基材にビア孔が設けられ、前記ビア孔内に導電性部材が充填され、前記導電性部材の表面及び前記外部接続端子の表面にめっき層が設けられた配線基板において、前記導電性部材は、前記ビア孔の中心部の厚さが前記ビア孔の側壁部の厚さよりも厚く、前記絶縁性基材の第1主面と対向する第2主面より突出している配線基板である。
請求項（抜粋）：
絶縁性基材の第1主面上に配線及びその外部接続端子が設けられ、前記配線の所定位置の絶縁性基材にビア孔が設けられ、前記ビア孔内に導電性部材が充填され、前記導電性部材の表面及び前記外部接続端子の表面にめっき層が設けられた配線基板において、前記導電性部材は、前記ビア孔の中心部の厚さが前記ビア孔の側壁部の厚さよりも厚く、前記絶縁性基材の第1主面と対向する第2主面より突出していることを特徴とする配線基板。
IPC (4件)：
H01L 23/12
, H01L 23/12 501
, H01L 21/60 311
, H05K 1/18
H01L 23/12 501 T
, H01L 23/12 501 B
, H01L 21/60 311 S
, H05K 1/18 L
, H01L 23/12 F
5E336AA04
, 5E336BB02
, 5E336BC01
, 5E336CC32
, 5E336CC43
, 5E336CC55
, 5E336GG30
, 5F044KK17
, 5F044KK19
, 5F044LL01
, 5F044QQ06
