特許
J-GLOBAL ID：201203019815964768
ハイブリッド垂直キャビティレーザー
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (12件)：
清水 初志
, 春名 雅夫
, 山口 裕孝
, 刑部 俊
, 井上 隆一
, 佐藤 利光
, 新見 浩一
, 小林 智彦
, 渡邉 伸一
, 大関 雅人
, 五十嵐 義弘
, 川本 和弥
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-549434
公開番号（公開出願番号）：特表2012-517705
出願日： 2010年01月22日
公開日（公表日）： 2012年08月02日
要約：
本発明はシリコンプラットフォーム(3)上の光回路に対して光源(2)を提供する。垂直レーザーキャビティが、上部ミラー(4)と基板上のシリコン層内の格子領域(11)内に形成された底部格子ミラー(12)との間に配置された利得領域(101)によって形成される。格子領域(11)から光を受けるための導波路(18, 19)が格子領域内に形成されるか、または格子領域に接続され、垂直キャビティレーザー(VCL)に対する出力カップラとして機能する。これによって、垂直レーザー発振モード(16)が、シリコン層内に形成された面内導波路の横方向面内モード(17, 20)に結合され、例えばシリコンのSOIまたはCMOS基板上の光回路に光を供給することができる。
請求項（抜粋）：
シリコンプラットフォームの底部格子ミラーを用いて、シリコンプラットフォーム上に垂直キャビティレーザー(VCL)構造をハイブリッド化する方法であって、
III-V族材料で形成された活性領域と、出力結合(out-coupling)ミラーとしては使用されず99.5%より高い反射率を有する高反射性上部ミラーとを含む層構造を提供する工程;
より低い屈折率の層によって支持されているシリコン層内に格子領域を形成する工程であって、該格子領域が、シリコン層部分と、シリコン層内に形成され該シリコン層の屈折率よりも低い屈折率を有する領域とによって形成された1次元(1D)または2次元(2D)の周期的屈折率格子を含む、工程;
前記シリコン層内に導波路を形成する工程であって、該導波路は、格子領域から導波路への光の横方向出力結合を容易にするように配置されている、工程;および
前記層構造を前記格子領域上に配置する工程であって、前記層構造と前記格子領域との間にシリコン層の屈折率より低い屈折率を有する層を設けることを含み、これによって、前記周期的屈折率格子が底部格子ミラーを確立して、上部ミラーと格子領域との間にVCLキャビティを形成する、工程
を含む、前記方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F173AC14
, 5F173AC26
, 5F173AC35
, 5F173AC46
, 5F173AC54
, 5F173AC70
, 5F173AH03
, 5F173AH48
