特許
J-GLOBAL ID：201203021252973476

低磁歪高磁束密度複合軟磁性材とその製造方法

発明者：
池田 裕明

池田 裕明 について

, 
田中 寛

田中 寛 について

, 
五十嵐 和則

五十嵐 和則 について


出願人/特許権者：
三菱マテリアル株式会社

三菱マテリアル株式会社 について

, 
株式会社ダイヤメット

株式会社ダイヤメット について


代理人 (2件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-035434
公開番号（公開出願番号）：特開2012-191192
出願日： 2012年02月21日
公開日（公表日）： 2012年10月04日
要約：
【課題】本発明により、低磁歪特性を有する高磁束密度の複合軟磁性材を提供できる。【解決手段】本発明は、膜厚5〜200nmのMg含有絶縁皮膜あるいはリン酸塩皮膜によって絶縁処理された純鉄系の複合軟磁性粉末粒子2と、11〜16質量%のSiを含むFe-Si合金粉末粒子3をこれらの合計全量に対するFe-Si合金粉末粒子3の割合において10〜60質量%含有してなり、前記粒子間に境界層を有してなることを特徴とする。リン酸塩皮膜として、例えば、リン酸亜鉛皮膜、リン酸鉄皮膜、リン酸マンガン皮膜、リン酸カルシウム皮膜を使用できる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
Mg含有絶縁皮膜あるいはリン酸塩皮膜によって絶縁処理された純鉄系の複合軟磁性粉末粒子と、11〜16質量%のSiを含むFe-Si合金粉末粒子をこれらの合計全量に対するFe-Si合金粉末粒子の割合において10〜60質量%含有してなり、前記粒子間に境界層を有してなることを特徴とする低磁歪高磁束密度複合軟磁性材。
IPC (10件)：
H01F 1/22 ,  H01F 41/02 ,  B22F 1/02 ,  B22F 3/24 ,  B22F 3/02 ,  B22F 3/00 ,  C22C 33/02 ,  B22F 1/00 ,  C22C 38/00 ,  H01F 1/20
FI (10件)：
H01F1/22 ,  H01F41/02 D ,  B22F1/02 E ,  B22F3/24 B ,  B22F3/02 M ,  B22F3/00 B ,  C22C33/02 M ,  B22F1/00 Y ,  C22C38/00 303S ,  H01F1/32
Fターム (29件)：
4K018AA26 ,  4K018AB01 ,  4K018AC03 ,  4K018BA14 ,  4K018BA16 ,  4K018BB04 ,  4K018BC01 ,  4K018BC12 ,  4K018BC32 ,  4K018BC33 ,  4K018CA02 ,  4K018CA09 ,  4K018FA08 ,  4K018HA04 ,  4K018KA44 ,  5E041AA01 ,  5E041AA02 ,  5E041BB03 ,  5E041BC01 ,  5E041BC05 ,  5E041CA03 ,  5E041CA04 ,  5E041HB11 ,  5E041HB14 ,  5E041NN01 ,  5E041NN05 ,  5E041NN06 ,  5E041NN15 ,  5E041NN18
引用特許：
審査官引用 (4件)
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