半導体上からホットメルトエッチングレジストを剥離する改良された方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人センダ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-204197
公開番号（公開出願番号）：特開2012-089829
出願日： 2011年09月20日
公開日（公表日）： 2012年05月10日
要約：

【課題】シート抵抗率の増大およびアルミニウム電極の腐蝕を抑制する剥離剤配合物を提供する。【解決手段】ホットメルトエッチングレジストが、半導体ウェハ上の反射防止コーティングもしくは選択的エミッタに選択的に適用される。無機酸含有エッチング剤を用いて、反射防止コーティングおよび選択的エミッタの露出部分がエッチング除去されて、半導体基体を露出させる。このホットメルトエッチングレジストは次いで、半導体の電気的一体性を悪化させないアルカリ剥離剤を用いて半導体から剥離される。次いで、露出した半導体は金属化されて、電流トラックを形成する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

a)PN接合を有する半導体基体であって、PN接合を有する半導体基体の前面上に反射防止コーティングをおよび裏面上にアルミニウム含有電極を含む半導体基体を提供し; b)前記PN接合を有する半導体基体上の反射防止コーティングにホットメルトエッチングレジストを選択的に適用し; c)前記PN接合を有する半導体基体の反射防止コーティングの露出部分にエッチング剤を適用し、反射防止コーティングの露出部分を除去して、PN接合を有する半導体基体の前面を選択的に露出させ;並びに d)炭酸カリウムおよびケイ酸カリウムを含む剥離剤を前記PN接合を有する半導体基体に適用して、反射防止コーティングからホットメルトエッチングレジスト除去する; ことを含む方法。

IPC (2件)：

H01L 31/04 , H01L 21/28

FI (4件)：

H01L31/04 H , H01L31/04 M , H01L31/04 F , H01L21/28 L

Fターム (23件)：

4M104BB02 , 4M104BB08 , 4M104DD07 , 4M104DD09 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD51 , 4M104DD78 , 4M104FF02 , 4M104GG05 , 5F151AA02 , 5F151AA03 , 5F151AA05 , 5F151AA08 , 5F151CB21 , 5F151CB27 , 5F151CB30 , 5F151EA15 , 5F151FA06 , 5F151FA10 , 5F151FA15 , 5F151GA04 , 5F151HA03

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-002572
改良されたホットメルト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-252756 出願人：ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー.
半導体上に電流トラックを形成する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-108912 出願人：ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー.

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