半導体上に電流トラックを形成する方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人センダ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-108912
公開番号（公開出願番号）：特開2011-243985
出願日： 2011年05月15日
公開日（公表日）： 2011年12月01日
要約：

【課題】半導体のための電流トラックを製造する方法を提供する。【解決手段】半導体をコーティングする二酸化ケイ素もしくは窒化ケイ素上にロジン樹脂およびワックスを含むホットメルトインクレジストを選択的に堆積させ、次いで二酸化ケイ素もしくは窒化ケイ素層のコーティングされていない部分を無機酸エッチング剤でエッチングして半導体を露出させ、同時にホットメルトインクレジストのアンダーカットを阻害することを含む。エッチングされた部分は、次いで、金属化されて複数の実質的に均一な電流トラックを形成することができる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

a)前面がSiOxもしくは窒化ケイ素からなる反射防止層を含む、前面および裏面を含む半導体を提供し; b)酸官能基を有する水素化ロジン樹脂の1種以上、および1種以上の脂肪酸を含むホットメルトインクレジストであって、少なくとも190の酸価を有するホットメルトインクレジストを反射防止層に選択的に適用し;並びに c)1種以上の無機酸を含むエッチング組成物を半導体に適用して、半導体反射防止層の露出部分をエッチング除去し、同時にアンアーカットを抑制する: ことを含む方法。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 M

Fターム (7件)：

5F151AA02 , 5F151CB21 , 5F151CB27 , 5F151DA03 , 5F151FA10 , 5F151GA04 , 5F151HA03

引用特許：

審査官引用 (6件)

導電ライン及びそれに類する構造物の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-303394 出願人：パロ・アルト・リサーチ・センター・インコーポレーテッド
特公平7-017867
インクジェット式製版印刷版の作成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-123218 出願人：富士写真フイルム株式会社

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