特許
J-GLOBAL ID：201203023424609286

半導体装置およびその製造方法

発明者：
油谷 直毅

油谷 直毅 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (4件)： 高橋 省吾 ,  稲葉 忠彦 ,  村上 加奈子 ,  中鶴 一隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-210846
公開番号（公開出願番号）：特開2012-069567
出願日： 2010年09月21日
公開日（公表日）： 2012年04月05日
要約：
【課題】シリコン以外の半導体で形成される半導体素子で使用可能なTEGを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】SBD部2aと、SBD部2aの電気特性を測定するためのTEG部3aと、を備えた半導体装置1aであって、SBD部2aは、n型のSiCドリフト層8と、SiCドリフト層8上に、SiCドリフト層8の表面9と接触して形成された第1のショットキー電極13と、を有し、TEG部3aは、SiCドリフト層8の表面9を含む箇所に形成されたp型のイオン注入層18aと、SiCドリフト層8上に、SiCドリフト層8の表面9と接触して形成された第2のショットキー電極21aと、第2のショットキー電極21aと電気的に接続され、SiCドリフト層8とは接触しないようにイオン注入層18a上に形成された電極パッド22と、を有する【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
半導体素子と、 前記半導体素子の電気特性を測定するためのモニター用パターンと、を備えた半導体装置であって、 前記半導体素子は、 第1導電型の半導体層と、 前記第1導電型の半導体層上に、前記第1導電型の半導体層の表面と接触して形成された第1の電極と、を有し、 前記モニター用パターンは、 前記第1導電型の半導体層の表面を含む箇所に形成された第2導電型の半導体層と、 前記第1導電型の半導体層上に、前記第1導電型の半導体層の表面と接触して形成された第2の電極と、 前記第2の電極と電気的に接続され、前記第1導電型の半導体層とは接触しないように前記第2導電型の半導体層上に形成された電極パッドと、 を有する半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 21/66
FI (6件)：
H01L27/04 A ,  H01L29/06 301G ,  H01L29/48 F ,  H01L29/48 D ,  H01L27/04 T ,  H01L21/66 F
Fターム (30件)：
4M104AA03 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB21 ,  4M104DD37 ,  4M104DD64 ,  4M104DD79 ,  4M104DD84 ,  4M104FF13 ,  4M104FF32 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104GG18 ,  4M106AA01 ,  4M106AA07 ,  4M106AB20 ,  4M106BA01 ,  4M106CA04 ,  5F038BH09 ,  5F038CA05 ,  5F038CA07 ,  5F038CA10 ,  5F038DF01 ,  5F038DT12 ,  5F038DT15 ,  5F038EZ01 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20
引用特許：
審査官引用 (1件)

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