特許

J-GLOBAL ID：200903050883675870

半導体装置の製造方法

発明者： 内田 正雄 ,  北畠 真 ,  宮永 良子 ,  高橋 邦方 ,  楠本 修 ,  山下 賢哉
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (8件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  手島 勝 ,  藤田 篤史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-164631
公開番号（公開出願番号）：特開2004-014709
出願日： 2002年06月05日
公開日（公表日）： 2004年01月15日
要約：

【課題】チップ分離の際の結晶の割れや欠けによる素子不良の発生を低減することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素基板と炭化珪素層とを含むウェハ11の上に、上部電極6を、劈開方向のうちの1つである方向Yと、劈開方向からの傾きが5度より大きい方向Xとにほぼ沿うように並置する。そして、ウェハ11上に形成された素子を分離して複数のチップ10にするときには、劈開方向Yに対してほぼ平行の分離線14aと、方向Xに対してほぼ平行の分離線14bとに沿って切断を行なう。ここで、上部電極6の並置とチップ分離は、炭化珪素層上に形成されたステップを基準として行なうことにより、より正確に劈開方向を知ることができ、チップ分離の際に半導体チップに割れや欠けが発生するのを抑制することができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ウェハの上に、炭化珪素からなる半導体層をエピタキシャル成長により形成する工程(a)と、 上記半導体層の上に、複数の電極を少なくとも1つの劈開方向からの傾きが5度以下の第1の電極配置方向と、劈開方向からの傾きが5度より大きい第2の電極配置方向とに沿って並置する工程(b)と、 上記ウェハを分離してチップにする工程(c)と を備える半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L21/301 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/41 ,  H01L29/78

FI (6件)：

H01L21/78 L ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/78 652Q ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 658Z ,  H01L29/44 L

Fターム (11件)：

4M104AA03 ,  4M104BB05 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104CC03 ,  4M104FF01 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104GG12 ,  4M104GG18

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体基板および半導体基板のそり矯正方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-275133   出願人：株式会社デンソー
• 半導体素子の製造方法およびその製造に用いる半導体ウエハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-035539   出願人：株式会社日立製作所, 日立デバイスエンジニアリング株式会社
• 窒化物半導体チップの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-047864   出願人：松下電器産業株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 半導体用語大辞典, 19990320, 第1版1刷, p.636