特許
J-GLOBAL ID：201203025273081520
磁気センサ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
野▲崎▼ 照夫
, 三輪 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-259846
公開番号（公開出願番号）：特開2012-112689
出願日： 2010年11月22日
公開日（公表日）： 2012年06月14日
要約：
【課題】 外部磁場耐性を向上させた磁気センサを提供することを目的とする。【解決手段】 第1素子部9AのX方向の両側に第1バイアス層10及び第2バイアス層11が配置される。各バイアス層10,11は、Y1方向に着磁される。第1素子部9AにはX1方向のバイアス磁界B1が供給される。第1軟磁性体12aは、第1バイアス層10の中央に位置し、第2軟磁性体12bは、第2バイアス層11の中央に位置し、各軟磁性体12a,12bは、第1素子部9AのY方向の両側にてX方向にずれて配置されている。第3軟磁性体12cが、第2軟磁性体12bの第1軟磁性体12aとの対向側と反対側に配置されている。第1軟磁性体12a及び第3軟磁性体12cの端面はY方向に一致している。第1軟磁性体と第2軟磁性体との間隔T1と、第2軟磁性体と第3軟磁性体との間隔T2とが同じ大きさである。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
磁性層と非磁性層とが積層されて成る磁気抵抗効果を発揮する第1素子部と、
前記第1素子部の第1水平方向の両側に配置され前記第1素子部に第1バイアス磁界を供給するための第1バイアス層及び第2バイアス層と、
前記第1バイアス層と高さ方向で対向し前記第1素子部に非接触の第1軟磁性体と、前記第2バイアス層と高さ方向で対向し前記第1素子部に非接触の第2軟磁性体と、を有しており、
前記第1バイアス層及び前記第2バイアス層は、前記第1水平方向に対して直交する第2水平方向に着磁されており、前記第1素子部に対して、前記第1水平方向から前記第1バイアス磁界が供給されるように、前記第1バイアス層及び前記第2バイアス層が第2水平方向にずれて配置されており、
前記第1軟磁性体は、平面視にて、前記第1バイアス層の前記第2水平方向の中央に位置し、前記第2軟磁性体は、平面視にて、前記第2バイアス層の前記第2水平方向の中央に位置し、前記第1軟磁性体と前記第2軟磁性体とは、前記第1水平方向からの外部磁場を、前記第1軟磁性体と前記第2軟磁性体との間で、略第2水平方向に変換して前記第1素子部に与えるように、前記第1素子部の前記第2水平方向の両側にて前記第1水平方向にずれて配置されており、
前記第2水平方向に、前記第1軟磁性体、前記第2軟磁性体及び第3軟磁性体の順に配置されており、
前記第3軟磁性体は、前記第1軟磁性体と前記第2水平方向にて同位置に設けられて前記第2軟磁性体に対し前記第1水平方向にずれて配置されており、
前記第1軟磁性体及び前記第3軟磁性体の前記第2軟磁性体に近い側の端面は、前記第2水平方向に一致しており、
前記第1軟磁性体と前記第2軟磁性体との間の前記第2水平方向の間隔T1と、前記第2軟磁性体と前記第3軟磁性体との間の前記第2水平方向の間隔T2とが同じ大きさであることを特徴とする磁気センサ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
2G017AA13
, 2G017AB01
, 2G017AC09
, 2G017AD55
, 2G017AD64
, 2G017BA05
