特許

J-GLOBAL ID：201203025297817128

光学素子及びその製造方法

発明者： 竹口 圭吾 ,  笠井 淳平 ,  岸 寛之
出願人/特許権者： 旭化成株式会社
代理人 (1件)： 青木 宏義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-257697
公開番号（公開出願番号）：特開2012-108352
出願日： 2010年11月18日
公開日（公表日）： 2012年06月07日
要約：

【課題】高い光学特性を持つ光学素子を提供することを目的の一とする。【解決手段】本発明の光学素子は、光透過性の基材1主面上の誘電体層2と、誘電体層2上の、可視光の波長より幅が小さい複数の突起物11と、を備え、突起物11は、誘電体層2上のAlを含んでなる金属層3と、金属層3上に接し、SiO2、またはSiO2を含有するサーメットでなるマスク層4と、を備えたことを特徴とする。このように、金属層3に接する誘電体からなるマスク層4を備えることにより、金属層3の加工に用いるレジストマスクのマスクパターン高さが低い場合でも、金属層3の加工精度を高い水準に保つことができる。その結果、光学特性に優れた光学素子が得られる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

光透過性の基材主面上の誘電体層と、前記誘電体層上の、可視光の波長より幅が小さい複数の突起物と、を備え、 前記突起物は、前記誘電体層上のAlを含んでなる金属層と、前記金属層上に接し、SiO2、またはSiO2を含有するサーメットでなるマスク層と、を備えたことを特徴とする光学素子。

IPC (1件)：

G02B 5/30

FI (1件)：

G02B5/30

Fターム (6件)：

2H149AB01 ,  2H149AB11 ,  2H149BA03 ,  2H149BA23 ,  2H149BB28 ,  2H149FA41W

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 偏光素子、偏光素子の製造方法、液晶装置、及び投射型表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-149097   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 偏光発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-020725   出願人：日本ゼオン株式会社