特許
J-GLOBAL ID:200903065546866130
偏光素子、偏光素子の製造方法、液晶装置、及び投射型表示装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
西 和哉
, 志賀 正武
, 青山 正和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-149097
公開番号(公開出願番号):特開2008-304522
出願日: 2007年06月05日
公開日(公表日): 2008年12月18日
要約:
【課題】グリッドパターンのオーバーエッチが防止されるとともに高いアスペクト比を有する偏光素子、偏光素子の製造方法、液晶装置、及び投射型表示装置を提供する。【解決手段】基材100A上に形成されて複数のスリット状の開口部113を有する金属膜110Mからなる偏光素子部110と、基材100Aと偏光素子部110との間に設けられ、偏光素子部110のエッチング時に金属膜110Mとともに一部がエッチングされてなるエッチング犠牲層115とを備える偏光素子1である。エッチング犠牲層115は、金属膜110Mに対するエッチングレートと同等以上のエッチングレートを有する材料から構成される。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基材上に形成されて複数のスリット状の開口部を有する金属膜からなる偏光素子部と、
前記基材と前記偏光素子部との間に設けられ、前記偏光素子部のエッチング時に前記金属膜とともに一部がエッチングされてなるエッチング犠牲層と、を備え、
前記エッチング犠牲層は、前記金属膜に対するエッチングレートと同等以上のエッチングレートを有する材料から構成されることを特徴とする偏光素子。
IPC (3件):
G02B 5/30
, G02F 1/133
, G03B 21/00
FI (3件):
G02B5/30
, G02F1/1335 510
, G03B21/00 E
Fターム (29件):
2H049BA02
, 2H049BA45
, 2H049BC01
, 2H049BC08
, 2H049BC22
, 2H091FA07Y
, 2H091FB02
, 2H091FC26
, 2H091LA04
, 2H091LA12
, 2H091LA16
, 2H091MA07
, 2H191FA21Y
, 2H191FB02
, 2H191FC36
, 2H191LA04
, 2H191LA13
, 2H191LA21
, 2H191MA11
, 2K103AA01
, 2K103AA05
, 2K103AA11
, 2K103AB01
, 2K103AB04
, 2K103AB07
, 2K103BB02
, 2K103BC14
, 2K103CA26
, 2K103CA75
引用特許:
出願人引用 (1件)
-
エツチング方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-298778
出願人:株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
審査官引用 (4件)