特許

J-GLOBAL ID：201203026194892039

有機トランジスタ、表示装置及び有機トランジスタの製造方法

発明者： 香村 勝一 ,  青森 繁 ,  荒川 泰彦 ,  北村 雅季 ,  康 宇建
出願人/特許権者： シャープ株式会社 ,  国立大学法人 東京大学
代理人 (5件)： 船山 武 ,  三木 雅夫 ,  野村 進 ,  大房 直樹 ,  覚田 功二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-033759
公開番号（公開出願番号）：特開2012-174805
出願日： 2011年02月18日
公開日（公表日）： 2012年09月10日
要約：

【課題】結晶グレインサイズが拡大し、結晶性の高い領域が増加し、キャリア移動度が向上した有機半導体層を有する有機トランジスタ、該有機トランジスタを用いた表示装置、及び該有機トランジスタの製造方法の提供。【解決手段】基板1と、ゲート電極2と、ゲート絶縁層3と、有機半導体層5と、ソース電極6と、ドレイン電極7と、有機半導体層5と接する結晶促進層4とから構成される有機トランジスタであって、前記結晶促進層4は、少なくとも、前記有機半導体層5に接する第二の単分子膜と、該第二の単分子膜に接する第一の単分子膜とから構成され、前記第二の単分子膜を構成する有機分子骨格群が面内の少なくとも一方向に等しい重心間距離で配列した領域があり、前記有機半導体層5を構成する、少なくとも前記領域に接する有機分子骨格群が、面内の少なくとも一方向に等しい重心間距離で配列していることを特徴とする有機トランジスタ。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、有機半導体層と、ソース電極と、ドレイン電極と、有機半導体層と接する結晶促進層とから構成される有機トランジスタであって、 前記結晶促進層は、少なくとも、前記有機半導体層に接する第二の単分子膜と、該第二の単分子膜に接する第一の単分子膜とから構成され、 前記第二の単分子膜を構成する有機分子骨格群が面内の少なくとも一方向に等しい重心間距離で配列した領域があり、 前記有機半導体層を構成する、少なくとも前記領域に接する有機分子骨格群が、面内の少なくとも一方向に等しい重心間距離で配列していることを特徴とする有機トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30

FI (6件)：

H01L29/78 618E ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 220D ,  H01L29/28 250E

Fターム (34件)：

5F110AA01 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110GG05 ,  5F110GG13 ,  5F110GG19 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72