特許
J-GLOBAL ID：201203027548480686
ナノ構造のフォトダイオード
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
大塚 康徳
, 高柳 司郎
, 大塚 康弘
, 木村 秀二
, 下山 治
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-526011
公開番号（公開出願番号）：特表2012-502466
出願日： 2009年09月04日
公開日（公表日）： 2012年01月26日
要約：
本発明は、互いに逆の導電型を有する半導体材料から製造された第1の領域(1)及び第2の領域(2)により少なくとも部分的に形成され、吸収光から電荷キャリアを発生する光吸収領域(11)を備えるPIN接合又はPN接合を備えるフォトダイオードを提供する。PIN接合又はPN接合の一部分は、互いに離間して配置され、光吸収領域(11)において発生される電荷キャリアを回収するように配列された1つ以上のナノワイヤ(7)を備える。ナノワイヤ(7)と前記第1の領域(1)及び前記第2の領域(2)のうち一方の領域との間に規定される低濃度不純物添加半導体材料又は真性半導体材料から製造された少なくとも1つの低濃度不純物領域(10)により、活性領域(9)の光吸収領域及び/又はアバランシェ増倍領域の個々の必要に合わせた形成が可能になる。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
第1の導電型を有する半導体材料から製造された第1の領域(1)及び前記第1の導電型とは逆の第2の導電型を有する半導体材料から製造された第2の領域(2)により少なくとも部分的に形成され、且つ、吸収光から電荷キャリアを発生する光吸収領域(11)を備えるPIN接合又はPN接合を備えるフォトダイオードであって、前記PIN接合又はPN接合の一部分は、互いに離間して配置され、前記光吸収領域(11)から前記電荷キャリアを搬送するように配列されたナノワイヤ(7)のアレイを備えることを特徴とするフォトダイオード。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L31/10 A
, H01L31/10 B
5F049MA02
, 5F049MA04
, 5F049MA07
, 5F049MB07
, 5F049NA05
, 5F049PA03
, 5F049PA14
, 5F049QA20
, 5F049SE02
, 5F049SE04
, 5F049SS03
, 5F049WA01
, 5F049WA03
, 5F049WA05
