特許
J-GLOBAL ID:201203027603832210

電子機器および非接触充電装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人サクラ国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-233760
公開番号(公開出願番号):特開2012-084893
出願日: 2011年10月25日
公開日(公表日): 2012年04月26日
要約:
【課題】非接触充電方式において、電磁誘導で受電側に発生する渦電流を抑えることによって、渦電流に起因する発熱や受電効率の低下を抑制する。【解決手段】電子機器1は受電装置2と電子機器本体3とを具備する。受電装置2はスパイラルコイルを有する受電コイル11と整流器12と二次電池13とを備える。電子機器本体3は電子デバイス14と回路基板15とを備える。スパイラルコイル11と二次電池13、整流器12、電子デバイス14、回路基板15との間の少なくとも1箇所には磁性箔体16が配置されている。磁性箔体16は比透磁率の実成分μr’と板厚tとの積で表されるμr’・t値が30000以上である。【選択図】図1
請求項(抜粋):
スパイラルコイルを有する受電コイルと、前記受電コイルに発生した交流電圧を整流する整流器と、前記整流器で整流された直流電圧が充電される二次電池とを備える受電装置と、 前記二次電池から前記直流電圧が供給されて動作する電子デバイスと、前記電子デバイスが実装された回路基板とを備える電子機器本体と、 前記スパイラルコイルと前記二次電池との間、前記スパイラルコイルと前記整流器との間、前記スパイラルコイルと前記電子デバイスとの間、および前記スパイラルコイルと前記回路基板との間の少なくとも1箇所に配置され、1枚以上3枚以下のアモルファス合金薄帯またはFe基微結晶合金薄帯からなる磁性箔体とを具備し、 前記アモルファス合金薄帯またはFe基微結晶合金薄帯は、単体の厚さが5μm以上50μm以下であり、かつ前記磁性箔体の比透磁率の実成分をμr’、前記磁性箔体の板厚をt[μm]としたとき、前記磁性箔体は前記比透磁率の実成分μr’と前記板厚tとの積で表される値(μr’・t)が30000以上1320000以下であり、前記受電コイルによる受電速度が0.25W/h以上であることを特徴とする電子機器。
IPC (3件):
H01F 38/14 ,  H02J 17/00 ,  H01F 27/36
FI (3件):
H01F23/00 B ,  H02J17/00 B ,  H01F27/36 B
Fターム (2件):
5E058CC13 ,  5E058CC15
引用特許:
審査官引用 (7件)
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