特許

J-GLOBAL ID：201203028595252612

磁気刺激デバイスおよび方法

発明者： ルオホネン,ヤルモ ,  カルフ,ヤリ
出願人/特許権者： ネクスティム オーワイ
代理人 (5件)： 岡部 讓 ,  吉澤 弘司 ,  三山 勝巳 ,  ▲濱▼口 岳久 ,  川崎 孝
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-515525
公開番号（公開出願番号）：特表2012-529947
出願日： 2009年06月17日
公開日（公表日）： 2012年11月29日
要約：

本公開物は、磁気パルスを発生して脳に送るためのデバイスおよび方法を開示する。本発明によるデバイスは、短くて高エネルギーの電流パルス(18)を発生するための手段(15)と、電流パルス(18)の振幅(16)を制御するための手段(7)と、電流パルス(18)から高エネルギー電磁場刺激パルスを発生して脳に送るための手段(1)と、刺激パルスに対する生物学的応答を決定するための手段(6、14)とを備える。本発明によれば、デバイスは、振幅(18)が不規則に変化する電磁パルスのパルス・シーケンス(17)を生成するための手段(7)を含む。

請求項（抜粋）：

磁気パルスを発生して脳に送るためのデバイスであって、 短くて高エネルギーの電流パルス(18)を発生するための手段(15)と、 前記電流パルス(18)の振幅(16)を制御するための手段(7)と、 前記電流パルス(18)から高エネルギー電磁場刺激パルスを発生して脳に送るための手段(1)と、 前記刺激パルスに対する生物学的応答を決定するための手段(6、14)と を備えるデバイスにおいて、 前記振幅(18)が不規則に変化する電磁パルスのパルス・シーケンス(17)を生成するための手段(7) を特徴とするデバイス。

IPC (1件)：

A61N 1/40

FI (1件)：

A61N1/40

Fターム (1件)：

4C053LL20

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 磁気刺激における刺激部位の特定あるいはターゲッティングを行うための装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-144652   出願人：樋脇治, 独立行政法人科学技術振興機構, 国立大学法人広島大学, 山陽電子工業株式会社
• 経頭蓋磁気刺激に使用される刺激レベルの特定方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2006-541342   出願人：ニューロネティクスインク.
• 経頭蓋磁気刺激システムおよび方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2008-516502   出願人：ブレインズウェイインコーポレイテッド