特許
J-GLOBAL ID：201203030314115349
セラミック電子部品およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
前田 均
, 鈴木 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-136388
公開番号（公開出願番号）：特開2012-004236
出願日： 2010年06月15日
公開日（公表日）： 2012年01月05日
要約：
【課題】素子本体の表面強度を高めて耐湿性を向上させ、かつ構造欠陥が抑制されたセラミック電子部品およびその製造方法を提供すること。【解決手段】誘電体層を備える素子本体を有するセラミック電子部品であって、誘電体層が、一般式ABO3(AはBaを含み、CaまたはSrを含んでもよい、BはTiを含み、ZrまたはHfを含んでもよい)で表される化合物を含み、素子本体10は、内部12と内部を覆う表層部11とから構成されており、表層部11は、素子本体10の表面からの深さが10μmまでの領域であり、表層部11におけるAとBとのモル比(A/B)をAB1とし、内部12におけるAとBとのモル比(A/B)をAB2としたとき、0.992≦AB1/AB2≦0.998である。AB1/AB2の値は、非水溶性バインダ樹脂に対する水溶性バインダ樹脂の割合を変化させることで制御できる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
誘電体層を備える素子本体を有するセラミック電子部品であって、
前記誘電体層が、一般式ABO3(AはBa単独、または、BaとCaおよびSrから選ばれる少なくとも1つとであり、BはTi単独、または、TiとZrおよびHfから選ばれる少なくとも1つとである)で表される化合物を含有する誘電体磁器組成物から構成されており、
前記素子本体は、素子本体内部と、前記素子本体内部を覆う表層部と、から構成されており、前記表層部は、前記素子本体表面からの深さが10μmまでの領域であり、
前記表層部における前記Aと前記Bとのモル比を示すA/BをAB1とし、前記素子本体内部における前記Aと前記Bとのモル比を示すA/BをAB2としたとき、
前記AB1およびAB2が、0.992≦AB1/AB2≦0.998である関係を満足することを特徴とするセラミック電子部品。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01G4/12 349
, H01G4/12 364
, H01G4/30 301F
, H01G4/30 311Z
5E001AB03
, 5E001AD02
, 5E001AD03
, 5E001AE01
, 5E001AE02
, 5E001AE03
, 5E001AJ02
, 5E082AB03
, 5E082FG26
, 5E082LL01
, 5E082PP03
