特許
J-GLOBAL ID:201003057095979104

積層セラミック電子部品

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小柴 雅昭
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-212844
公開番号(公開出願番号):特開2010-050263
出願日: 2008年08月21日
公開日(公表日): 2010年03月04日
要約:
【課題】積層セラミック電子部品に備えるセラミック積層体が薄型化されると、外部電極からのガラス成分の浸潤が原因で、外部電極に覆われている部分とそうでない部分との境目に応力集中が起こり、クラックが生じやすい。【解決手段】セラミック積層体3の外表面を規定する表層部を与える保護層14と保護層14以外の本体部15とを構成するセラミックは、ABO3(Aは、Ba、またはBaならびにCaおよびSrの少なくとも一方を含む。Bは、Ti、またはTiならびにZrおよびHfの少なくとも一方を含む。)で表されるペロブスカイト型化合物を主成分とし、かつSiを副成分として含む組成を共通して有するが、保護層14の組成は、本体部15の組成に比べて、A/B比が高く、またはMg含有量もしくは希土類元素含有量が多くされ、保護層14でのSi濃度が高められるようにする。【選択図】図3
請求項(抜粋):
積層された複数のセラミック層をもって構成される、セラミック積層体と、 前記セラミック積層体の内部であって、前記セラミック層間の特定の界面に沿って形成された、内部電極と、 前記内部電極と電気的に接続されながら、前記セラミック積層体の外表面の一部を覆うように形成される、外部電極と を備え、 前記セラミック積層体の外表面を規定する表層部における、前記外部電極によって覆われている部分と覆われていない部分との境目を少なくとも含む領域が、保護層によって与えられ、 前記保護層および前記セラミック積層体における前記保護層以外の本体部を構成するセラミックは、ABO3(Aは、Ba、またはBaならびにCaおよびSrの少なくとも一方を含む。Bは、Ti、またはTiならびにZrおよびHfの少なくとも一方を含む。)で表されるペロブスカイト型化合物を主成分とし、かつSiを副成分として含む組成を共通して有するが、 前記保護層の組成は、前記本体部の組成に比べて、A/B比が高い、 積層セラミック電子部品。
IPC (2件):
H01G 4/12 ,  H01G 4/30
FI (3件):
H01G4/12 358 ,  H01G4/30 301E ,  H01G4/12 349
Fターム (11件):
5E001AB03 ,  5E001AE01 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AG00 ,  5E082AB03 ,  5E082BC33 ,  5E082FF13 ,  5E082FG06 ,  5E082FG26 ,  5E082HH43
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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