特許
J-GLOBAL ID：201203031217138985
イオンビームエッチング装置、方法及び制御装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
岩田 今日文
, 瀬戸 さより
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-293526
公開番号（公開出願番号）：特開2012-142398
出願日： 2010年12月28日
公開日（公表日）： 2012年07月26日
要約：
【課題】IBEにおいてイオンビームの斜め入射を行って基板上に凹凸構造を形成する際に、入射方向ごとに入射量が異なることによる影響を低減し、基板面内において、作製された素子間の特性のバラつきを低減させる。【解決手段】基板がイオン引き出し用グリッド電極の斜向かいにある場合に、イオンビームエッチングによって形成される被処理面に平行であり且つ基板面に平行である第1の方向側に前記グリッド電極が位置する状態を第1の状態とし、該第1の方向と垂直であり且つ基板面に平行である第2の方向側に前記グリッド電極が位置する状態を第2の状態としたとき、前記第1の状態における基板の回転速度を前記第2の状態における基板の回転速度よりも速くする。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
プラズマを形成するためのプラズマ形成手段と、
前記プラズマ形成手段によってプラズマが形成されるプラズマ形成空間と、
前記プラズマ形成空間で形成されたプラズマからイオンを引き出すグリッドと、
基板を保持するための基板ホルダとを備えたイオンビームエッチング装置であって、
前記基板ホルダは回転可能であり、且つ前記グリッドに対しての傾斜角度が変更可能であり、
前記基板の回転位置を検出するための位置検出手段と、
前記基板の回転速度を制御するための回転制御手段とを備え、
前記回転制御手段は、前記基板が前記グリッドの斜向かいにある場合に、イオンビームエッチングによって形成される被処理面に平行であり且つ前記基板面に平行である第1の方向側に前記グリッドが位置する状態を第1の状態とし、前記第1の方向と垂直であり且つ前記基板面に平行である第2の方向側に前記グリッドが位置する状態を第2の状態としたとき、前記第2の状態における前記基板の前記回転速度を前記第2の状態における前記基板の前記回転速度よりも速くすることを特徴とするイオンビームエッチング装置。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, H01L 21/306
, G11B 5/127
H01L21/302 201B
, H01L21/302 101C
, G11B5/127 E
5D093AB03
, 5D093HA16
, 5F004AA01
, 5F004AA16
, 5F004BA11
, 5F004BB13
, 5F004BB18
, 5F004BB20
, 5F004BB24
, 5F004CA03
, 5F004CA05
, 5F004CA09
, 5F004DA23
, 5F004DB08
, 5F004DB13
, 5F004DB29
, 5F004EB08
