特許
J-GLOBAL ID：200903030033763451

イオンビーム装置

発明者：
鈴木 正康

鈴木 正康 について

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上田 雅弘

上田 雅弘 について

, 
北原 大

北原 大 について


出願人/特許権者：
株式会社島津製作所

株式会社島津製作所 について


代理人 (1件)： 永井 冬紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-117252
公開番号（公開出願番号）：特開2004-327543
出願日： 2003年04月22日
公開日（公表日）： 2004年11月18日
要約：
【課題】スパッタリング粒子による基板の汚染を防止することができるイオンビーム装置の提供。【解決手段】グリッドGにより加速されてイオンビーム源1から引き出されたイオンビーム束IBは、発散角αで真空チャンバ2内に引き出される。イオンビーム束IBは真空チャンバ2内に配置された基板Sに照射され、基板Sがエッチング処理される。真空チャンバ2の天板2aおよび側壁2bは複数のバッフル8a,8bが設けられており、基板Sを外れたイオンビーム束IBはこれらのバッフル8a,8bに入射する。バッフル8a,8bにイオンビームIBが入射するとそれらからスパッタリング粒子40,42a,42bが放出されるが、スパッタリング粒子40,42a,42bは基板Sに入射しないため、基板がスパッタリング粒子40,42a,42bで汚染されるのを防止できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
イオン源から真空チャンバへと引き出されたイオンビーム束を利用して基板を処理するイオンビーム装置において、 前記イオン源から引き出されて前記基板に入射しないイオンビーム束により生成されたスパッタリング粒子が、前記基板に入射しないように阻止する阻止手段を設けたことを特徴とするイオンビーム装置。
IPC (2件)：
H01L21/302 ,  H01J37/305
FI (2件)：
H01L21/302 201B ,  H01J37/305 A
Fターム (6件)：
5C034BB10 ,  5C034CC19 ,  5F004AA16 ,  5F004BA11 ,  5F004BB32 ,  5F004BD04
引用特許：
審査官引用 (5件)
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