光触媒の合成方法、光触媒電極および水素生成装置、並びに水素生成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：大井正彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-202610
公開番号（公開出願番号）：特開2012-055843
出願日： 2010年09月10日
公開日（公表日）： 2012年03月22日
要約：

【課題】 p型半導体特性を示す光触媒の合成方法、光触媒電極、およびこれを用いた水素生成装置、並びに水素生成方法の提供。【解決手段】光触媒の合成方法は、Cu2 S、Ag2 S、ZnSおよびGeS2 を、それぞれ、モル比でx:(1-x):{(100+y)/100}:{(100+y)/100}の割合(ただし、xは0.5≦x≦1、yは5≦y≦30である。)となるよう混合して焼成することにより、複合金属硫化物よりなる光触媒を合成することを特徴とする。光触媒電極は、組成式(1)で表される複合金属硫化物よりなる光触媒を有し、p型半導体特性を示すことを特徴とする。ただし、組成式(1)において、xは0.5≦x≦1、yは5≦y≦30である。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

Cu2 S、Ag2 S、ZnSおよびGeS2 を、それぞれ、モル比でx:(1-x):{(100+y)/100}:{(100+y)/100}の割合(ただし、xは0.5≦x≦1、yは5≦y≦30である。)となるよう混合して焼成することにより、複合金属硫化物よりなる光触媒を合成することを特徴とする光触媒の合成方法。

IPC (7件)：

B01J 35/02 , B01J 27/04 , B01J 37/04 , B01J 37/08 , C01B 3/04 , C25B 11/06 , C25B 1/04

FI (7件)：

B01J35/02 J , B01J27/04 M , B01J37/04 101 , B01J37/08 , C01B3/04 A , C25B11/06 B , C25B1/04

Fターム (37件)：

4G169AA02 , 4G169AA08 , 4G169AA09 , 4G169BA48A , 4G169BB09A , 4G169BB09B , 4G169BC23A , 4G169BC23B , 4G169BC31A , 4G169BC31B , 4G169BC32A , 4G169BC32B , 4G169BC35A , 4G169BC35B , 4G169BD08A , 4G169BD08B , 4G169CB81 , 4G169CC33 , 4G169FB07 , 4G169FB30 , 4G169FC02 , 4G169HA02 , 4G169HB10 , 4G169HD04 , 4G169HE09 , 4G169HF02 , 4K011AA02 , 4K011AA66 , 4K011DA01 , 4K021AA01 , 4K021BA02 , 4K021BB05 , 4K021BC09 , 4K021CA15 , 4K021DB05 , 4K021DB18 , 4K021DC03

引用文献：

審査官引用 (1件)

Novel Stannite-type Complex Sulfide Photocatalysts AI2-Zn-AIV-S4(AI=Cu,Ag;AIV=Sn and Ge) for Hydrog

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