特許
J-GLOBAL ID:201203033587524666
TCOに置き換わる磁性ナノ構造
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
園田 吉隆
, 小林 義教
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-533212
公開番号(公開出願番号):特表2012-507117
出願日: 2009年09月28日
公開日(公表日): 2012年03月22日
要約:
本発明は、低電気シート抵抗及び高光透過性の所望の組み合わせを有する光透過性導電層を提供する。導電層は、平面内に多数の磁性ナノ構造を含み、これらの磁性ナノ構造は、複数の略平行な連続する導電経路となるように配列され、導電層が高い光透過性を示すことが可能な密度を有している。磁性ナノ構造は、ナノ粒子、ナノワイヤ、又は複合ナノワイヤとすることができる。複合磁性ナノワイヤは、ニッケル又はコバルトのような磁性金属層により被覆される銀ナノワイヤを含むことができる。更に、複合磁性ナノワイヤは、磁性金属ナノワイヤに取り付けられるカーボンナノチューブ(CNT)を含むことができる。基板上に導電層を形成する方法は、多数の磁性ナノ構造を基板に堆積させる工程と、磁界を印加して、基板の表面に平行な複数の導電経路となるようにナノ構造を形成する工程とを含む。
請求項(抜粋):
平面内に位置する多数の磁性ナノ構造を含む導電層であって、
前記多数の磁性ナノ構造がストリング状に配列されており、前記ストリングが互いに略平行で、複数の連続導電経路となっているもので、
前記多数の磁性ナノ構造の密度によって前記導電層に高い光透過性が実現されている、導電層。
IPC (4件):
H01B 5/14
, H01B 13/00
, B82Y 25/00
, B82Y 30/00
FI (4件):
H01B5/14 A
, H01B13/00 503B
, B82Y25/00
, B82Y30/00
Fターム (13件):
5G307FA01
, 5G307FB01
, 5G307FB02
, 5G307FB04
, 5G307FC09
, 5G307FC10
, 5G323BA01
, 5G323BA02
, 5G323BA05
, 5G323BB01
, 5G323BB02
, 5G323BB05
, 5G323BC03
引用特許: