マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：津国肇 , 柳橋泰雄 , 石岡隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-241318
公開番号（公開出願番号）：特開2012-141583
出願日： 2011年11月02日
公開日（公表日）： 2012年07月26日
要約：

【課題】荷電粒子照射による欠陥修正技術を好適に適用できるとともに、電磁界(EMF: ElectroMagnetics Field)効果に起因するバイアスを小さくすることのできるマスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】ArFエキシマレーザー露光光が適用される転写用マスクを作成するために用いられ、透光性基板上に、転写パターンを形成するための遮光膜を有するマスクブランク10であって、遮光膜2は、透光性基板側から下層と上層の少なくとも二層構造からなり、前記下層は、遷移金属、ケイ素および窒素を主成分とし、かつ窒素含有量が21原子%以上であり、かつ屈折率nが1.9以下である材料からなり、前記上層は、遷移金属、ケイ素および窒素を主成分とし、屈折率nが2.1以下である材料からなり、前記上層の表層は、酸素を含有しており、窒素含有量が14原子%以上であることを特徴とするマスクブランク10。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ArFエキシマレーザー露光光が適用される転写用マスクを作成するために用いられ、透光性基板上に、転写パターンを形成するための遮光膜を有するマスクブランクであって、前記遮光膜は、透光性基板側から下層と上層の少なくとも二層構造からなり、前記下層は、遷移金属、ケイ素および窒素を主成分とし、窒素含有量が21原子%以上であり、かつ屈折率nが1.9以下である材料からなり、前記上層は、遷移金属、ケイ素および窒素を主成分とし、屈折率nが2.1以下である材料からなり、前記上層の表層は、酸素を含有しており、窒素含有量が14原子%以上であることを特徴とするマスクブランク。

IPC (1件)：

G03F 1/58

FI (1件)：

G03F1/08 K

Fターム (7件)：

2H095BA06 , 2H095BC05 , 2H095BC11 , 2H095BC24 , 2H095BD32 , 2H095BD35 , 2H095BD36

引用特許：

審査官引用 (1件)

電子ビーム処理
公報種別：公表公報出願番号：特願2003-517674 出願人：エフ・イ-・アイ・カンパニー

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