特許
J-GLOBAL ID：200903057008868686
電子ビーム処理
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
山口 邦夫
, 佐々木 榮二
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-517674
公開番号（公開出願番号）：特表2004-537758
出願日： 2002年07月27日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：
電子ビーム(101)活性化ガスを用いて物質をエッチングする又はそれを堆積する電子ビーム処理を行う方法と装置である。本発明は、リソグラフィマスクの欠陥を修正するために特に適する。イオンビームの代わりに電子ビーム(101)を用いることによって、汚損や河床のようなイオンビームマスク修正に関連する多くの問題点が除かれる。電子ビームとガスが基板をエッチングしないので、終点検出は重要ではない。ある実施の形態においては、二フッ化キセノンガスが電子ビーム(101)によって活性化されて透過マスク又は反射マスク上のタングステン膜、窒化タンタル膜、又は、ケイ化モリブデン膜をエッチングする。エッチング液ガスによる、不動態化(パッシベーション)層が取り除かれた被処理サイトの自発エッチングを避けるために、別のサイトを処理する前に被処理サイトを再度不動態化(パッシベート)する。
請求項（抜粋）：
電子ビーム活性化エッチング液ガスをフォトリソグラフィマスク上の余分な物質による欠陥に向けて送る工程と、
電子ビームを該余分な物質による欠陥に向けて照射し電子ビームの衝撃点近傍の電子ビーム活性化エッチング液ガスを活性化して余分な物質をエッチングし、それによって、下に存在する基板の特性を明らかに劣化させることなく、前記欠陥を取り除く工程とからなる、フォトリソグラフィマスク上の余分な物質による欠陥を取り除く方法。
IPC (4件)：
G03F1/08
, H01J9/14
, H01J37/305
, H01L21/027
G03F1/08 V
, H01J9/14 A
, H01J37/305 A
, H01L21/30 502W
2H095BD32
, 2H095BD35
, 2H095BD36
, 5C034BB04
, 5C034BB05
, 5C034BB06
, 5C034BB10
