特許
J-GLOBAL ID:201203036784158131
磁気記録素子
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
日向寺 雅彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-226721
公開番号(公開出願番号):特開2012-069958
出願日: 2011年10月14日
公開日(公表日): 2012年04月05日
要約:
【課題】磁化反転のバラツキを小さくすること、あるいは高速化すること、あるいは反転電流を低減させること、ができる磁気記録素子を提供する。【解決手段】磁化が第1の方向に実質的に固定された第1の強磁性層10aと、磁化の方向が可変の第2の強磁性層30と、前記第1の強磁性層と前記第2の強磁性層との間に設けられた第1の非磁性層20と、磁化の方向が可変の第3の強磁性層50と、前記第1の強磁性層と前記第3の強磁性層との間に設けられた第2の非磁性層40aと、を積層し、各層の膜面に対して垂直な方向に流れる電流が前記第1の強磁性層を流れることによりスピン偏極した電子が生じ、且つ前記スピン偏極した電子により前記第3の強磁性層の磁化が歳差運動し、前記歳差運動により発生する磁場を前記第2の強磁性層に作用させることにより、前記第2の強磁性層の磁化の方向を前記電流の向きに応じた方向に決定する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
磁化が第1の方向に実質的に固定された第1の強磁性層と、
磁化の方向が可変の第2の強磁性層と、
前記第1の強磁性層と前記第2の強磁性層との間に設けられた第1の非磁性層と、
磁化の方向が可変の第3の強磁性層と、
前記第1の強磁性層と前記第3の強磁性層との間に設けられた第2の非磁性層と、
を積層した積層体を備え、
前記第2の強磁性層と前記第3の強磁性層との間に前記第1の非磁性層が設けられ、
前記第1の非磁性層と前記第3の強磁性層との間に前記第1の強磁性層が設けられ、
前記第1の強磁性層と前記第3の強磁性層との間に前記第2の非磁性層が設けられ、
前記積層体の各層の膜面に対して垂直な方向に流れる電流が前記第1の強磁性層を流れることによりスピン偏極した電子が生じ、
前記第1の非磁性層および前記第2の非磁性層は、前記電子のスピン情報を伝達可能なスピン伝達層であり、
前記スピン偏極した電子を前記第2の強磁性層に作用させ、且つ前記スピン偏極した電子が前記第3の強磁性層を流れることにより前記第3の強磁性層の磁化が歳差運動し、前記歳差運動により発生する磁場を前記第2の強磁性層に作用させることにより、前記第2の強磁性層の磁化の方向を前記電流の向きに応じた方向に決定可能としたことを特徴とする磁気記録素子。
IPC (4件):
H01L 27/105
, H01L 21/824
, H01L 29/82
, H01L 43/08
FI (3件):
H01L27/10 447
, H01L29/82 Z
, H01L43/08 Z
Fターム (34件):
4M119AA03
, 4M119BB01
, 4M119BB03
, 4M119CC05
, 4M119CC10
, 4M119DD04
, 4M119DD17
, 4M119DD33
, 4M119DD45
, 4M119EE22
, 4M119EE27
, 5F092AB08
, 5F092AB10
, 5F092AC12
, 5F092AD12
, 5F092AD23
, 5F092AD25
, 5F092BB22
, 5F092BB23
, 5F092BB32
, 5F092BB33
, 5F092BB34
, 5F092BB35
, 5F092BB36
, 5F092BB37
, 5F092BB42
, 5F092BB43
, 5F092BC03
, 5F092BC04
, 5F092BC14
, 5F092BC32
, 5F092BC33
, 5F092BC39
, 5F092BC47
引用特許: