特許

J-GLOBAL ID：201203037268207599

硫化物薄膜デバイス及びその製造方法

発明者： 百瀬 成空 ,  橋本 佳男
出願人/特許権者： 独立行政法人国立高等専門学校機構 ,  国立大学法人信州大学
代理人 (1件)： 三枝 弘明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-044479
公開番号（公開出願番号）：特開2012-182327
出願日： 2011年03月01日
公開日（公表日）： 2012年09月20日
要約：

【課題】薄膜太陽電池に多元系硫化物薄膜を用いる際に好適な電気伝導性・強度を有する裏面電極材料及びその製造方法を提供する。【解決手段】ニッケルとシリコンを同時にスパッタ堆積し、これを熱処理することでNiSi2薄膜を基材表面に固定化し、この表面に硫化物薄膜を固定化させる。あるいは、ニッケルとシリコンを同時にスパッタ堆積し、さらに硫化化合物となる金属化学種またはこれらの硫化物を堆積し、これを硫黄雰囲気下にて加熱することにより基材表面にNiSi2と硫化物の積層薄膜を同時に固定化させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、該基板上に形成されたNiSi2よりなる電極層と、該電極層上に形成された硫化物層とを有することを特徴とする硫化物薄膜デバイス。

IPC (3件)：

H01L 31/04 ,  C01G 19/00 ,  C01B 33/06

FI (3件)：

H01L31/04 E ,  C01G19/00 A ,  C01B33/06

Fターム (20件)：

4G072AA20 ,  4G072BB09 ,  4G072FF01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072JJ09 ,  4G072NN11 ,  4G072QQ09 ,  4G072RR11 ,  4G072UU02 ,  5F151AA10 ,  5F151BA11 ,  5F151CB15 ,  5F151CB24 ,  5F151CB30 ,  5F151FA02 ,  5F151FA06 ,  5F151FA13 ,  5F151FA15 ,  5F151GA03

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-212017
  
• 半導体装置の電極部及び電極部の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-146947   出願人：ソニー株式会社
• 特開平3-212017
  

引用文献：

審査官引用 (3件)

• 20p-TE-9 Cu2ZnSnS4薄膜太陽電池の裏面電極層へのNiSi薄膜の利用
• 20p-TE-9 Cu2ZnSnS4薄膜太陽電池の裏面電極層へのNiSi薄膜の利用
• Cu2ZnSnS4 Thin Film Solar Cells Utilizing Sulfurization of Metallic Precursor Prepared by Simultaneo