特許
J-GLOBAL ID：201203038387476880

半導体装置、および、それを用いた駆動装置

発明者：
藤田 敏博

藤田 敏博 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (1件)： 服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-120274
公開番号（公開出願番号）：特開2012-248737
出願日： 2011年05月30日
公開日（公表日）： 2012年12月13日
要約：
【課題】発生する熱を効率よく放熱可能な半導体装置、および、それを用いた駆動装置を提供する。【解決手段】半導体装置では、ねじ68、69が、パワーモジュール60をヒートシンクに押圧する。MOS81〜88は、1つのねじ68、69に対し3つ以上配置される。また、MOS81〜88は、ねじ68、69による押圧によりパワーモジュール60とヒートシンクとの間に生じる圧力がMOS81〜88からの熱を放熱可能な所定の圧力以上である領域に配置される。これにより、少なくともMOS81〜88が配置されている領域では、パワーモジュール60とヒートシンクとが密着した状態で保持され、MOS81〜88から発生する熱を効率よくヒートシンクへ放熱することができる。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
電流の切り替えに係るスイッチング素子、前記スイッチング素子が実装される導電部材、および、前記スイッチング素子および前記導電部材をモールドするモールド部を有する半導体モジュールと、 前記半導体モジュールを放熱部材に押圧する押圧部材と、 を備え、 前記スイッチング素子は、1つの前記押圧部材に対して3つ以上配置されるとともに、前記押圧部材による押圧により前記半導体モジュールと前記放熱部材との間に生じる圧力が前記スイッチング素子からの熱を前記放熱部材に放熱可能な所定の圧力以上である領域に配置されることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/40 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (2件)：
H01L23/40 D ,  H01L25/04 C
Fターム (6件)：
5F136BA00 ,  5F136BB18 ,  5F136DA27 ,  5F136DA41 ,  5F136EA02 ,  5F136EA38
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM