特許
J-GLOBAL ID：201203038839988824

パワー半導体モジュール

発明者：
村山 宣光

村山 宣光 について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-292460
公開番号（公開出願番号）：特開2012-142351
出願日： 2010年12月28日
公開日（公表日）： 2012年07月26日
要約：
【課題】複数のパワー半導体素子と保護回路部品の実装密度を高め、かつ浮遊インダクタンスを抑制した構造の、高信頼度のパワー半導体モジュールを提供する。【解決手段】リードフレーム51の一方の面に、パワー半導体素子1が直接電気接続され、これに対向するように、リードフレーム51の他方の面に、保護回路素子2が直接電気接続され、パワー半導体素子1を計測する温度センサ23、電流センサ32、電圧センサが、個々のパワー半導体素子に設置されている。電流センサ32は、パワー半導体素子1の電極に電気的に接続された電流端子3に設けられ、電流端子3はリードフレーム52に接続される。温度センサ23は、パワー半導体素子1と保護回路素子2と電流端子3とにより生じる空隙に配置される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
電流の開閉を行う複数のパワー半導体素子と、該パワー半導体素子を保護する保護回路素子と、リードフレームとを備えるパワー半導体モジュールであって、 前記リードフレームの一方の面に、パワー半導体素子が直接電気接続され、 前記保護回路素子は、前記リードフレームの他方の面に、前記パワー半導体素子と対向するように、直接電気接続され、 前記パワー半導体素子を計測する温度センサ、電流センサ、電圧センサのいずれか1つ以上のセンサが、個々のパワー半導体素子に設置されていることを特徴とするパワー半導体モジュール。
IPC (4件)：
H01L 23/62 ,  H01L 23/58 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (3件)：
H01L23/56 A ,  H01L23/56 D ,  H01L25/04 C
Fターム (8件)：
5H740BA11 ,  5H740MM01 ,  5H740MM08 ,  5H740MM11 ,  5H740NN17 ,  5H740PP02 ,  5H740PP03 ,  5H740PP06
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • パワーモジュール
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-069469   出願人：三菱電機株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-217246   出願人：本田技研工業株式会社
  • パワー半導体モジュール
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-344360   出願人：三菱電機株式会社

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