特許

J-GLOBAL ID：201203039044606210

光電変換素子

発明者： 野々村 修一 ,  夏原 大宗
出願人/特許権者： 国立大学法人岐阜大学
代理人 (2件)： 前田 勘次 ,  大矢 正代
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-174794
公開番号（公開出願番号）：特開2012-038783
出願日： 2010年08月03日
公開日（公表日）： 2012年02月23日
要約：

【課題】光起電力効果によりp型半導体層で発生した電子が、正孔と再結合することが抑制された光電変換素子を提供する。【解決手段】半導体層がpin接合またはpn接合され、p型半導体層14aが受光側とされた半導体接合ユニット14を備えると共に、受光側の電極としてn型酸化物半導体からなる透明電極12を備えた光電変換素子1であって、透明電極12とp型半導体層14aとの間に、フェルミ準位Ef2と伝導帯Ec2の下限とのエネルギー差が、p型半導体層14aにおけるフェルミ準位Ef1と伝導帯の下限Ec1とのエネルギー差より大であるp型透明半導体層13が接合されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体層がpin接合またはpn接合され、p型半導体層が受光側とされた半導体接合ユニットを備えると共に、受光側の電極としてn型酸化物半導体からなる透明電極を備えた光電変換素子であって、 前記透明電極と前記p型半導体層との間に、フェルミ準位と伝導帯の下限とのエネルギー差が、前記p型半導体層におけるフェルミ準位と伝導帯の下限とのエネルギー差より大であるp型透明半導体層が接合されている ことを特徴とする光電変換素子。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 N

Fターム (7件)：

5F151AA05 ,  5F151CA12 ,  5F151DA04 ,  5F151DA20 ,  5F151FA03 ,  5F151FA06 ,  5F151GA03

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-165614   出願人：松下電器産業株式会社