太陽電池

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：鎌田耕一 , 黒田茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-165614
公開番号（公開出願番号）：特開2007-335625
出願日： 2006年06月15日
公開日（公表日）： 2007年12月27日
要約：

【課題】高い変換効率を得るために好適な光吸収層およびバックサーフェス層を有する太陽電池を提供する。【解決手段】本発明の薄膜太陽電池10は、基板11、導電層12、第2の半導体層13、第1の半導体層14、窓層15および透明導電膜16を備えている。各要素は、上記の順番で積層されている。第1の半導体層は、第2の半導体層よりも光入射側に位置する光吸収層である。第1の半導体層14と第2の半導体層13の結晶構造が異なり、第1の半導体層14の禁制帯幅Eg1と第2の半導体層13の禁制帯幅Eg2とが、Eg1<Eg2の関係を満たす。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

導電型がp型の第1の半導体層と、導電型がp型の第2の半導体層と、裏面電極としての導電層とを備え、各層がこの順番で積層されている太陽電池であって、前記第1の半導体層は、前記第2の半導体層よりも光入射側に位置する光吸収層であり、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層の結晶構造が異なり、前記第1の半導体層の禁制帯幅Eg1と前記第2の半導体層の禁制帯幅Eg2とが、Eg1<Eg2の関係を満たす、太陽電池。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 E

Fターム (8件)：

5F051AA08 , 5F051AA10 , 5F051CB15 , 5F051DA07 , 5F051FA04 , 5F051FA06 , 5F051GA02 , 5F051GA06

引用特許：

出願人引用 (1件)

基板上に太陽電池を製造する方法及びカルコパイライト吸収層を有する太陽電池
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-312243 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト

審査官引用 (8件)

化合物太陽電池及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-185937 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
特開平4-298081
特開平3-166770

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