特許
J-GLOBAL ID：201203039853042590
集積化光半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
高田 守
, 高橋 英樹
, 久野 淑己
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-225417
公開番号（公開出願番号）：特開2012-079990
出願日： 2010年10月05日
公開日（公表日）： 2012年04月19日
要約：
【課題】埋め込み型半導体レーザとハイメサリッジ型変調器との間の光の反射を抑える。【解決手段】n型InP基板10上に、埋め込み型半導体レーザ12とハイメサリッジ型変調器14が設けられている。光の進行方向において埋め込み型半導体レーザ12とハイメサリッジ型変調器14が結合されている。埋め込み型半導体レーザ12は、活性層16を持つ導波路リッジ18と、導波路リッジ18の両サイドを埋め込む埋め込み層20とを有する。ハイメサリッジ型変調器14は、変調層22を持つハイメサリッジ24と、ハイメサリッジ24の側面に接するシリコン窒化膜26と、シリコン窒化膜26上に設けられたシリコン酸化膜28とを有する。シリコン窒化膜26とシリコン酸化膜28の合計膜厚は1μm以上である。これにより、ハイメサリッジ型変調器14の等価屈折率は、埋め込み型半導体レーザ12の等価屈折率の0.998倍から1.0倍になる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、
前記基板上に設けられた埋め込み型半導体レーザと、
前記基板上に設けられ、光の進行方向において前記埋め込み型半導体レーザと結合されたハイメサリッジ型変調器とを備え、
前記埋め込み型半導体レーザは、活性層を持つ導波路リッジと、前記導波路リッジの両サイドを埋め込む埋め込み層とを有し、
前記ハイメサリッジ型変調器は、変調層を持つハイメサリッジと、前記ハイメサリッジの側面に接する保護絶縁膜とを有し、
前記保護絶縁膜の膜厚を1μm以上にして、前記ハイメサリッジ型変調器の等価屈折率を前記半導体レーザの等価屈折率の0.998倍から1.0倍にしたことを特徴とする集積化光半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S5/026 616
, H01S5/227
5F173AA26
, 5F173AB13
, 5F173AD12
, 5F173AD16
, 5F173AH14
, 5F173AH30
, 5F173AL06
, 5F173AL10
, 5F173AL13
, 5F173AL14
, 5F173AL19
, 5F173AL21
, 5F173AP32
, 5F173AP33
, 5F173AR99
