特許
J-GLOBAL ID：201003057877393290

光導波路の製造方法及び光導波路

発明者：
植竹 理人

植竹 理人 について

, 
山本 剛之

山本 剛之 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (2件)： 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-078549
公開番号（公開出願番号）：特開2010-097174
出願日： 2009年03月27日
公開日（公表日）： 2010年04月30日
要約：
【課題】 埋込導波路の両側に、埋込層を選択成長させる際に、マスクで覆っているハイメサ導波路領域に向かって被り成長が生じる。【解決手段】 基板上にメサを形成する。メサを長手方向に関して区分する第1の境界位置を基準として、一方の第1の向きに向かって延びるメサの上面と側面を覆うとともに、第1の境界位置からメサの側方に延びる境界線を一部の縁とし、境界線上の縁よりも第1の向きに広がる領域の基板の上面の少なくとも一部を覆う選択成長用マスクパターンを形成する。選択成長用マスクパターンをマスクとして用い、第1の境界位置を基準として第1の向きとは反対の第2の向きに向かって延びるメサの側面から側方に向かって成長し、成長の前面が斜面になる条件で埋込層を選択成長させる。埋込層の成長の先端が、境界線に沿う選択成長用マスクパターンの縁の先端まで達しない時点で埋込層の成長を停止させる。【選択図】図10
請求項（抜粋）：
下部クラッド層、コア層、及び上部クラッド層がこの順番に積層され、基板面内において延在するメサを、基板上に形成する工程と、 前記メサを、長手方向に関して区分する第1の境界位置を基準として、一方の第1の向きに向かって延びる前記メサの上面と側面を覆うとともに、前記第1の境界位置から該メサの側方に延びる境界線を一部の縁とし、該境界線上の縁よりも前記第1の向きに広がる領域の前記基板の上面の少なくとも一部を覆う選択成長用マスクパターンを形成する工程と、 前記選択成長用マスクパターンをマスクとして用い、前記第1の境界位置を基準として前記第1の向きとは反対側の第2の向きに向かって延びる前記メサの側面から側方に向かって成長し、成長の前面が斜面になる条件で埋込層を選択成長させる工程と を有し、 前記埋込層の成長の先端が、前記境界線に沿う前記選択成長用マスクパターンの縁の先端まで達しない時点で前記埋込層の成長を停止させる光導波路の製造方法。
IPC (4件)：
G02B 6/13 ,  G02B 6/122 ,  H01S 5/026 ,  H01S 5/125
FI (4件)：
G02B6/12 M ,  G02B6/12 A ,  H01S5/026 616 ,  H01S5/125
Fターム (20件)：
2H147AB02 ,  2H147AB04 ,  2H147AB09 ,  2H147BA06 ,  2H147BA15 ,  2H147BC03 ,  2H147BC05 ,  2H147CB03 ,  2H147DA19 ,  2H147EA12A ,  2H147EA12B ,  2H147EA12C ,  2H147FA04 ,  2H147FA13 ,  2H147FC02 ,  2H147FC03 ,  2H147FD09 ,  5F173AA26 ,  5F173AB13 ,  5F173AD12
引用特許：
出願人引用 (9件)
全件表示
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM