特許
J-GLOBAL ID：201203043935811513

太陽電池用半導体薄膜の製造方法および太陽電池用半導体薄膜

発明者：
梅津 信二郎

梅津 信二郎 について

, 
功刀 義人

功刀 義人 について


出願人/特許権者：
学校法人東海大学

学校法人東海大学 について


代理人 (1件)： 特許業務法人SSINPAT
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-201706
公開番号（公開出願番号）：特開2012-059549
出願日： 2010年09月09日
公開日（公表日）： 2012年03月22日
要約：
【解決手段】金属酸化物粒子を含有し、25°Cにおける粘度が50〜30,000mPa・sである半導体薄膜形成用組成物を静電インクジェット方式によって吐出ノズルから透明電極板上に吐出することによりパターンを形成することを特徴とする太陽電池用半導体薄膜の製造方法。【効果】本発明の太陽電池用半導体薄膜の製造方法は、光電変換効率が高い太陽電池用半導体薄膜を製造することができ、さらには作業効率が高く、複雑なパターンを有する太陽電池用半導体薄膜を容易に製造するができる。本発明の太陽電池用半導体薄膜の製造方法によれば、相互に接する層が、異なる粒径を有する金属酸化物粒子を含有する二層のパターンからなる太陽電池用半導体薄膜、および同一層内に、粒径が相互に異なる少なくとも2種類の金属酸化物粒子を含有する少なくとも一層のパターンからなる太陽電池用半導体薄膜を製造することができ、これらの太陽電池用半導体薄膜は光電変換効率が高い。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
金属酸化物粒子を含有し、25°Cにおける粘度が50〜30,000mPa・sである半導体薄膜形成用組成物を静電インクジェット方式によって吐出ノズルから透明電極板上に吐出することによりパターンを形成し、半導体薄膜を製造することを特徴とする太陽電池用半導体薄膜の製造方法。
IPC (2件)：
H01M 14/00 ,  H01L 31/04
FI (2件)：
H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z
Fターム (6件)：
5F151AA14 ,  5H032AA06 ,  5H032AS19 ,  5H032BB05 ,  5H032BB10 ,  5H032HH00
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • 光電変換素子および太陽電池
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-067544   出願人：富士写真フイルム株式会社
  • 表示素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-005550   出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社

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