特許
J-GLOBAL ID:201203044120433324

磁気抵抗効果素子、磁気メモリ及び磁気抵抗効果素子の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (18件): 蔵田 昌俊 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  勝村 紘 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓 ,  市原 卓三 ,  山下 元
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-210180
公開番号(公開出願番号):特開2012-064903
出願日: 2010年09月17日
公開日(公表日): 2012年03月29日
要約:
【課題】磁気抵抗効果素子の素子特性の向上を図る。【解決手段】本実施形態の磁気抵抗効果素子は、膜面に対して垂直方向の磁気異方性を有し、磁化の向きが不変な第2の磁性層92と、膜面に対して垂直方向の磁気異方性を有し、磁化の向きが可変な第1の磁性層91と、第1及び第2の磁性層91,92との間に設けられた非磁性層93と、を具備し、第1の磁性層92は、Tb、Gd及びDyからなる第1のグループから選択される少なくとも1つの元素とCo及びFeからなる第2のグループから選択される少なくとも1つの元素とを含む磁化膜21を備え、磁化膜21は、アモルファス相29と粒径が1nm以下の結晶28とを含む。【選択図】図1
請求項(抜粋):
膜面に対して垂直方向の磁気異方性を有し、磁化の向きが不変な第1の磁性層と、 膜面に対して垂直方向の磁気異方性を有し、磁化の向きが可変な第2の磁性層と、 前記第1の磁性層と前記第2の磁性層との間に設けられた非磁性層と、 を具備し、 前記第1の磁性層は、Tb、Gd及びDyからなる第1のグループから選択される少なくとも1つの元素とCo及びFeからなる第2のグループから選択される少なくとも1つの元素とを含む磁化膜を備え、 前記磁化膜は、アモルファス相と粒径が0.5nm以上の結晶とを含む、ことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (6件):
H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 43/08 ,  H01F 10/32 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/14
FI (6件):
H01L27/10 447 ,  H01L43/08 M ,  H01L43/08 Z ,  H01F10/32 ,  H01F10/16 ,  H01F10/14
Fターム (53件):
4M119AA15 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD17 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119DD55 ,  4M119EE23 ,  4M119EE27 ,  4M119FF05 ,  4M119FF16 ,  4M119FF17 ,  4M119JJ09 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AC05 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02 ,  5E049DB14 ,  5F092AA08 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB10 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB34 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB55 ,  5F092BB82 ,  5F092BB90 ,  5F092BC03 ,  5F092BC07 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BC18 ,  5F092BC19 ,  5F092BE01 ,  5F092BE04 ,  5F092BE06 ,  5F092BE11 ,  5F092BE13 ,  5F092BE14 ,  5F092BE21 ,  5F092BE24 ,  5F092CA25 ,  5F092CA26
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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