磁気抵抗効果素子、磁気メモリ及び磁気抵抗効果素子の製造方法

発明者： , , , , , , , , , , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (18件)：蔵田昌俊 , 河野哲 , 中村誠 , 福原淑弘 , 峰隆司 , 白根俊郎 , 村松貞男 , 野河信久 , 幸長保次郎 , 河野直樹 , 砂川克 , 勝村紘 , 佐藤立志 , 岡田貴志 , 堀内美保子 , 竹内将訓 , 市原卓三 , 山下元
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-210180
公開番号（公開出願番号）：特開2012-064903
出願日： 2010年09月17日
公開日（公表日）： 2012年03月29日
要約：

【課題】磁気抵抗効果素子の素子特性の向上を図る。【解決手段】本実施形態の磁気抵抗効果素子は、膜面に対して垂直方向の磁気異方性を有し、磁化の向きが不変な第2の磁性層92と、膜面に対して垂直方向の磁気異方性を有し、磁化の向きが可変な第1の磁性層91と、第1及び第2の磁性層91,92との間に設けられた非磁性層93と、を具備し、第1の磁性層92は、Tb、Gd及びDyからなる第1のグループから選択される少なくとも1つの元素とCo及びFeからなる第2のグループから選択される少なくとも1つの元素とを含む磁化膜21を備え、磁化膜21は、アモルファス相29と粒径が1nm以下の結晶28とを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

膜面に対して垂直方向の磁気異方性を有し、磁化の向きが不変な第1の磁性層と、膜面に対して垂直方向の磁気異方性を有し、磁化の向きが可変な第2の磁性層と、前記第1の磁性層と前記第2の磁性層との間に設けられた非磁性層と、を具備し、前記第1の磁性層は、Tb、Gd及びDyからなる第1のグループから選択される少なくとも1つの元素とCo及びFeからなる第2のグループから選択される少なくとも1つの元素とを含む磁化膜を備え、前記磁化膜は、アモルファス相と粒径が0.5nm以上の結晶とを含む、ことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (6件)：

H01L 27/105 , H01L 21/824 , H01L 43/08 , H01F 10/32 , H01F 10/16 , H01F 10/14

FI (6件)：

H01L27/10 447 , H01L43/08 M , H01L43/08 Z , H01F10/32 , H01F10/16 , H01F10/14

Fターム (53件)：

4M119AA15 , 4M119BB01 , 4M119CC05 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD17 , 4M119DD33 , 4M119DD45 , 4M119DD55 , 4M119EE23 , 4M119EE27 , 4M119FF05 , 4M119FF16 , 4M119FF17 , 4M119JJ09 , 5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AC05 , 5E049BA16 , 5E049CB02 , 5E049DB14 , 5F092AA08 , 5F092AB08 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB10 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB34 , 5F092BB36 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BB55 , 5F092BB82 , 5F092BB90 , 5F092BC03 , 5F092BC07 , 5F092BC12 , 5F092BC13 , 5F092BC18 , 5F092BC19 , 5F092BE01 , 5F092BE04 , 5F092BE06 , 5F092BE11 , 5F092BE13 , 5F092BE14 , 5F092BE21 , 5F092BE24 , 5F092CA25 , 5F092CA26

引用特許：

審査官引用 (3件)

磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-248251 出願人：株式会社東芝
磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気メモリセル及びランダムアクセスメモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-014576 出願人：株式会社日立製作所, 国立大学法人東北大学
特開昭63-019886

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