特許
J-GLOBAL ID：201103013501655684

磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気メモリセル及びランダムアクセスメモリ

発明者：
池田 正二

池田 正二 について

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大野 英男

大野 英男 について

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山本 浩之

山本 浩之 について

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伊藤 顕知

伊藤 顕知 について

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高橋 宏昌

高橋 宏昌 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について

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国立大学法人東北大学

国立大学法人東北大学 について


代理人 (3件)： 平木 祐輔 ,  関谷 三男 ,  渡辺 敏章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-014576
公開番号（公開出願番号）：特開2011-155073
出願日： 2010年01月26日
公開日（公表日）： 2011年08月11日
要約：
【課題】垂直磁化材料を適用し、TMR比の高い磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】CoFeB層41/MgOバリア層10/CoFeB層42の外側に融点が1600°C以上の単体金属、もしくはその金属を含んだ合金からなる中間層31,32を挿入する。中間層31,32の挿入により、アニール時におけるCoFeB層の結晶化をMgO(001)結晶側から進行させ、CoFeB層をbcc(001)で結晶配向させる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
垂直磁気異方性を有する強磁性体薄膜からなる記録層と、 垂直磁気異方性を有し、磁化の方向が一方向に固定された強磁性体薄膜からなる固定層と、 前記記録層と前記固定層の間に配置されたMgOのバリア層と、 前記バリア層の少なくとも基板側界面に配置されたCoFeB層と、 前記CoFeB層の前記バリア層と反対側の界面に配置された中間層とを有し、 前記中間層は融点が1600°C以上の金属、もしくはその金属を含んだ合金であることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
IPC (7件)：
H01L 43/08 ,  H01L 43/10 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82 ,  H01F 10/30 ,  H01F 10/16
FI (7件)：
H01L43/08 M ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/10 ,  H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z ,  H01F10/30 ,  H01F10/16
Fターム (48件)：
4M119AA17 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD08 ,  4M119DD17 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119FF05 ,  4M119FF06 ,  4M119FF15 ,  4M119FF17 ,  4M119HH02 ,  5E049AA04 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02 ,  5E049DB14 ,  5E049EB06 ,  5E049GC04 ,  5F092AA02 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB10 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BB55 ,  5F092BC04 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BC22 ,  5F092BC32 ,  5F092BC33 ,  5F092BC39 ,  5F092BC42 ,  5F092BE06 ,  5F092BE13 ,  5F092BE21 ,  5F092BE25 ,  5F092CA25
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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