特許
J-GLOBAL ID:201203044791106328
プラズマ処理用トレイ及びプラズマ処理装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人京都国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-220292
公開番号(公開出願番号):特開2012-074650
出願日: 2010年09月30日
公開日(公表日): 2012年04月12日
要約:
【課題】吸着力を高めたプラズマ処理用トレイ及びこのようなトレイを備えたプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】本発明のプラズマ処理用トレイ10は、化合物半導体から成る被処理基板を、静電気力を用いて載置部に静電吸着させてプラズマ処理するプラズマ処理装置10において用いられるものであり、体積抵抗率が107〜1013Ω・cmのトレイからなる。トレイは導電材料を分散させた窒化アルミニウム材料から成ることが好ましい。通常の窒化アルミニウムの体積抵抗率は1014Ω・cm程度であり、本発明のトレイは、通常の窒化アルミニウム等に炭化チタンや炭素繊維等の導電材料を含有させることで得ることができる。この場合、導電材料の含有量を調整することにより、窒化アルミニウム材料の体積抵抗率を調整することができる。【選択図】図2
請求項(抜粋):
化合物半導体から成る被処理基板を、静電気力を用いて載置部に静電吸着させてプラズマ処理するプラズマ処理装置において、前記被処理基板を載置するプラズマ処理用トレイであって、
前記トレイの体積抵抗率が107〜1013Ω・cmであることを特徴とするプラズマ処理用トレイ。
IPC (3件):
H01L 21/306
, H05H 1/46
, H01L 21/673
FI (3件):
H01L21/302 101G
, H05H1/46 M
, H01L21/68 U
Fターム (8件):
5F004AA06
, 5F004BA20
, 5F004BB22
, 5F004BB29
, 5F031CA02
, 5F031DA05
, 5F031EA01
, 5F031HA16
引用特許: