半導体装置およびその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (5件)：筒井大和 , 菅田篤志 , 筒井章子 , 中原亨 , 坂次哲也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-107367
公開番号（公開出願番号）：特開2012-238760
出願日： 2011年05月12日
公開日（公表日）： 2012年12月06日
要約：

【課題】半導体基板の表面に導入された不純物を、前記表面の浅い領域に高精度かつ高濃度で分布させ、不純物が半導体基板の深い領域に拡散することを防ぐことで、半導体装置の歩留まりおよび性能を向上させ、装置の微細化を容易にする。【解決手段】N型MISトランジスタにおいて、半導体基板300に打ち込まれた炭素が、同じ領域に打ち込まれたホウ素を引き寄せる性質を利用し、ホウ素をN型の不純物として注入したハロー領域306に炭素を共注入して炭素注入層307を形成する。これにより、ホウ素が増速拡散することを防ぎ、ハロー領域306を高い精度で形成することを可能とすることで、微細化された半導体素子の短チャネル効果の発生を抑制する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体素子を構成するホウ素注入領域に、炭素が共注入された炭素注入層が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 21/823 , H01L 27/092 , H01L 27/146 , H01L 27/088 , H01L 21/265 , H01L 21/824 , H01L 27/11

FI (7件)：

H01L29/78 301S , H01L27/08 321E , H01L27/14 A , H01L27/08 102B , H01L21/265 Q , H01L21/265 Z , H01L27/10 381

Fターム (94件)：

4M118AA01 , 4M118AB01 , 4M118BA14 , 4M118CA04 , 4M118CA18 , 4M118CA32 , 4M118FA25 , 4M118GD04 , 4M118GD07 , 4M118GD11 , 5F048AA07 , 5F048AB01 , 5F048AB03 , 5F048AB10 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048AC10 , 5F048BA01 , 5F048BB03 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB12 , 5F048BB16 , 5F048BC03 , 5F048BC05 , 5F048BC06 , 5F048BC18 , 5F048BC19 , 5F048BC20 , 5F048BD04 , 5F048BD10 , 5F048BE02 , 5F048BE03 , 5F048BE04 , 5F048BE05 , 5F048BE06 , 5F048BF07 , 5F048BF11 , 5F048BF16 , 5F048BG13 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F048DA30 , 5F083BS10 , 5F083BS22 , 5F083GA11 , 5F083PR36 , 5F140AA13 , 5F140AB01 , 5F140AB03 , 5F140AB06 , 5F140AC01 , 5F140AC22 , 5F140AC24 , 5F140AC32 , 5F140AC33 , 5F140BA01 , 5F140BB16 , 5F140BC06 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BG10 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG34 , 5F140BH14 , 5F140BH15 , 5F140BH22 , 5F140BH30 , 5F140BH35 , 5F140BH38 , 5F140BH49 , 5F140BJ08 , 5F140BJ11 , 5F140BJ17 , 5F140BJ20 , 5F140BJ27 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK26 , 5F140BK29 , 5F140BK34 , 5F140CA02 , 5F140CA03 , 5F140CA06 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CC03 , 5F140CC08 , 5F140CC11 , 5F140CE07 , 5F140CF04

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