特許

J-GLOBAL ID：201203045292389480

太陽電池

発明者： 井本 純平
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 平井 良憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-143249
公開番号（公開出願番号）：特開2012-009578
出願日： 2010年06月24日
公開日（公表日）： 2012年01月12日
要約：

【課題】受光面電極の位置ずれによる発電効率の低下を抑止する太陽電池を提供することを実現する。【解決手段】第1導電型の不純物を含むシリコン基板の受光面側に、第2導電型の不純物を含む拡散領域が形成され、拡散領域の受光面側には受光面電極が形成され、拡散領域は第1拡散領域と第2拡散領域とを有し、第2拡散領域の表面は第1拡散領域の表面よりも第2導電型の不純物濃度が高く、第2拡散領域は離散的に形成され、第2拡散領域に受光面電極が接続して形成されている太陽電池である。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

第1導電型の不純物を含むシリコン基板の受光面側に、第2導電型の不純物を含む拡散領域が形成され、 前記拡散領域の受光面側には受光面電極が形成され、 前記拡散領域は第1拡散領域と第2拡散領域とを有し、 前記第2拡散領域の表面は前記第1拡散領域の表面よりも第2導電型の不純物濃度が高く、 前記第2拡散領域は離散的に形成され、前記第2拡散領域に前記受光面電極が接続して形成されている太陽電池。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 H

Fターム (11件)：

5F151AA02 ,  5F151CB20 ,  5F151CB21 ,  5F151CB27 ,  5F151DA03 ,  5F151FA10 ,  5F151FA13 ,  5F151FA15 ,  5F151GA04 ,  5F151GA15 ,  5F151HA03

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 太陽電池及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-357783   出願人：信越半導体株式会社, 信越化学工業株式会社