特許

J-GLOBAL ID：200903058555368104

太陽電池及びその製造方法

発明者： 生島 聡之 ,  大塚 寛之 ,  高橋 正俊 ,  渡部 武紀
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社 ,  信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-357783
公開番号（公開出願番号）：特開2005-123447
出願日： 2003年10月17日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：

【課題】 込み入ったマスク工程を採用せずとも容易に製造でき、しかも、受光面側のドーパント拡散層での電圧降下による電力損失が生じにくく変換効率の高い太陽電池を提供する。【解決手段】 太陽電池100においては、第一導電型の半導体太陽電池基板1の第一主表面側に、第二導電型のドーパント拡散層65が形成され、該第一主表面上に出力取出用の線状のフィンガー電極4が複数形成され、該フィンガー電極4の間に露出した第一主表面領域にて太陽光を受光する。半導体太陽電池基板1の第一主表面には、ドーパントの濃度が周囲の領域よりも高く設定された線状形態の高濃度拡散層3が複数形成され、該高濃度拡散層3の周囲領域が、それよりもドーパントの濃度が低い低濃度拡散層2とされてなる。フィンガー電極4は、複数の高濃度拡散層3と交差する位置関係にて、その各々の交差位置にてそれら高濃度拡散層3と接して形成されてなる.【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第一導電型の半導体太陽電池基板の第一主表面側に、第二導電型のドーパント拡散層が形成され、該第一主表面層上に出力取出用の線状のフィンガー電極が複数形成され、該フィンガー電極の間に露出した第一主表面領域にて太陽光を受光するとともに、 前記半導体太陽電池基板の前記第一主表面には、前記ドーパントの濃度が周囲の領域よりも高く設定された線状形態の高濃度拡散層が複数形成され、該高濃度拡散層の周囲領域が、それよりも前記ドーパントの濃度が低い低濃度拡散層とされてなり、 前記フィンガー電極が、複数の前記高濃度拡散層と交差する位置関係にて、その各々の交差位置にてそれら高濃度拡散層と接して形成されてなることを特徴とする太陽電池。

IPC (1件)：

H01L31/04

FI (1件)：

H01L31/04 H

Fターム (6件)：

5F051AA02 ,  5F051AA16 ,  5F051BA14 ,  5F051CB20 ,  5F051EA16 ,  5F051FA14

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 結晶シリコンからなる太陽電池の金属化方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平7-510051   出願人：シーメンスソーラーゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング

審査官引用 (2件)

• 表面織目模様の放射層を有する太陽電池
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-503512   出願人：フラウンホファー.ゲゼルシャフト.ツール.フォルデンウング.デール.アンゲヴァンドテン.フォルシュング.エー.ファウ
• 特開昭64-013774