特許

J-GLOBAL ID：201203045626690615

クラスタ噴射式加工方法、半導体素子、微小電気機械素子、及び、光学部品

発明者： 小池 国彦 ,  妹尾 武彦 ,  吉野 裕 ,  東 周平 ,  松尾 二郎 ,  瀬木 利夫 ,  二宮 啓
出願人/特許権者： 岩谷産業株式会社 ,  国立大学法人京都大学
代理人 (1件)： 特許業務法人信友国際特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2009064131
公開番号（公開出願番号）：WO2010-021265
出願日： 2009年08月10日
公開日（公表日）： 2010年02月25日
要約：

【課題】電気的に中性な反応性クラスタを用いた試料の加工方法を提供する。【解決手段】反応性ガスと、反応性ガスより低沸点のガスとからなる混合ガスを、液化しない範囲の圧力で、所定の方向に断熱膨張させながら噴出させ、反応性クラスタを生成し、前記反応性クラスタを真空処理室内の試料に噴射して試料表面を加工する。

請求項（抜粋）：

反応性ガスと、反応性ガスより低沸点のガスとからなる混合ガスを、液化しない範囲の圧力で噴出部から所定の方向に断熱膨張させながら噴出させ、反応性クラスタを生成し、前記反応性クラスタを真空処理室内の試料に噴射して試料表面を加工する ことを特徴とするクラスタ噴射式加工方法。

IPC (5件)：

H01L 21/302 ,  H01L 29/84 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/320 ,  B81C 1/00

FI (4件)：

H01L21/302 201B ,  H01L29/84 Z ,  H01L21/88 J ,  B81C1/00

Fターム (56件)：

3C081AA17 ,  3C081BA03 ,  3C081BA45 ,  3C081BA48 ,  3C081CA14 ,  3C081DA43 ,  3C081EA03 ,  4M112AA01 ,  4M112BA07 ,  4M112CA01 ,  4M112CA03 ,  4M112CA11 ,  4M112CA12 ,  4M112CA13 ,  4M112CA14 ,  4M112DA03 ,  4M112DA15 ,  4M112EA03 ,  4M112EA06 ,  4M112EA11 ,  4M112EA18 ,  4M112FA20 ,  5F004AA02 ,  5F004AA03 ,  5F004AA05 ,  5F004AA06 ,  5F004BA17 ,  5F004BA19 ,  5F004BB24 ,  5F004CA02 ,  5F004CA08 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA23 ,  5F004DB01 ,  5F004EA03 ,  5F004EA05 ,  5F004EA06 ,  5F004EA07 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033MM30 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ48 ,  5F033TT07