特許

J-GLOBAL ID：201203046790505752

サンゴ育成方法

発明者： 木原 一禎 ,  細川 恭史 ,  近藤 康文 ,  鯉渕 幸生 ,  山本 悟
出願人/特許権者： 三菱重工鉄構エンジニアリング株式会社 ,  日本防蝕工業株式会社 ,  株式会社シーピーファーム ,  国立大学法人 東京大学
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-226071
公開番号（公開出願番号）：特開2012-075420
出願日： 2010年10月05日
公開日（公表日）： 2012年04月19日
要約：

【課題】サンゴ礁の回復を図ることのできるサンゴ育成方法を提供すること。【解決手段】サンゴ育成装置100は、基材1と、陽極2と、両者を電気的に接続する導線3とを有する。基材1は、金属で作られる網状の構造体であり、海中WIにおいてカソードとなる。陽極2は、基材1よりも自然電位が卑な金属であり、海中WIにおいてアノードとなる。基材1を海底BTに設置した後、陽極2と基材1とを導線3で接続することにより、海中WIにおいて、基材1と陽極2との間に電流を流す。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

海中においてカソードとなる、網状かつ導電性を有する基材を海底に設置する手順と、 前記基材と、海中に設置したアノードとなる部材との間に電流を流す手順と、 を含むことを特徴とするサンゴ育成方法。

IPC (1件)：

A01K 61/00

FI (2件)：

A01K61/00 U ,  A01K61/00 Z

Fターム (5件)：

2B104AA38 ,  2B104EF00 ,  2B104FA00 ,  2B104FA11 ,  2B104FA13

引用特許：

審査官引用 (4件)

• サンゴ造礁用構造物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-099676   出願人：日本防蝕工業株式会社
• サンゴ育成装置及びサンゴ育成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-212226   出願人：三菱重工鉄構エンジニアリング株式会社, 日本防蝕工業株式会社, 株式会社シーピーファーム, 国立大学法人東京大学
• サンゴ育成増殖装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-080604   出願人：三井造船株式会社, 国立大学法人九州大学
• 特開昭59-140822