特許

J-GLOBAL ID：201203047114574071

イオンビーム照射装置及びイオンビーム発散抑制方法

発明者： ニコラエスク ダン ,  酒井 滋樹 ,  石川 順三 ,  後藤 康仁
出願人/特許権者： 日新イオン機器株式会社 ,  国立大学法人京都大学
代理人 (3件)： 西村 竜平 ,  佐藤 明子 ,  齊藤 真大
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2010057405
公開番号（公開出願番号）：WO2010-143479
出願日： 2010年04月27日
公開日（公表日）： 2010年12月16日
要約：

本発明は、磁石近傍のスペースを有効活用することによって、特別な磁極構造を不要としながらも、電子の利用効率を向上して空間電荷効果によるイオンビームの広がりを効率的に抑制するものであり、イオン源2と、コリメート磁石6と、複数の電子源11とを備え、電子源11が、コリメート磁石6におけるイオンビーム上流側又は下流側に形成される磁場勾配領域K内に配置され、且つ、イオンビームIBの通過領域外に配置されるとともに、電子の照射方向が、磁場勾配領域Kに電子が供給されるように向けられていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

イオンビームをターゲットに照射するイオンビーム照射装置であって、 正イオンからなるイオンビームを生成するイオン源と、 前記イオン源及び前記ターゲットの間に設けられ、前記イオン源から出たイオンビームをターゲットに照射するために偏向、収束又は発散させる1又は複数の磁石と、 電子を生成する1又は複数の電子源と、を備え、 前記電子源が、前記磁石のイオンビーム上流側及び/又は下流側に形成される磁場勾配領域内に配置され、且つ、前記イオンビームが通過する領域外に配置されるとともに、 前記電子源の電子射出方向が、前記磁場勾配領域に電子が供給されるように向けられていることを特徴とするイオンビーム照射装置。

IPC (2件)：

H01J 37/317 ,  H01L 21/265

FI (2件)：

H01J37/317 Z ,  H01L21/265 603B

Fターム (3件)：

5C034CC02 ,  5C034CC17 ,  5C034CC19